日前，Vishay
电气特性
TCET111.(G)
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
辐射源
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
探测器
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
TCET1110 （ G）
TCET1115 （ G）
TCET1116 （ G）
TCET1117 （ G）
TCET1118 （ G）
TCET1119 （ G）
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
0.13
0.22
0.34
0.56
0.50
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
0.40
0.63
1.0
1.6
典型值。
0.30
0.45
0.70
0.90
6.0
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
0.8
1.25
2.0
3.2
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
www.vishay.com
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