TC1313
直流特性（续）
电气特性：
V
IN1
= V
IN2
= SHDN1,2 = 3.6V ，C
OUT1
= C
IN
= 4.7 μF ，C
OUT2
= 1μF ， L = 4.7 μH ，V
OUT1
（ ADJ ） = 1.8V ，
I
OUT1
= 100毫安，我
OUT2
= 0.1毫安牛逼
A
= +25°C.
粗体
规格适用于经t
A
范围
-40 ° C至+ 85°C 。
参数
输出短路电流
（平均）
唤醒时间
（来自SHDN2模式），（Ⅴ
OUT2
)
建立时间
（来自SHDN2模式），（Ⅴ
OUT2
)
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
符号
I
OUTsc2
t
WK
t
S
民
—
—
—
典型值
240
31
100
最大
—
100
—
单位
mA
s
s
条件
R
LOAD2
≤
1Ω
I
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安
I
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安
7:
8:
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V和V
IN
≥
V
RX
+ V
差，
V
RX
= V
R1
或V
R2
.
V
RX
是稳压器输出电压设定。
TCV
OUT2
= ((V
OUT2max
– V
OUT2min
) * 10
6
)/(V
OUT2
* D
T
).
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。
电压差定义为输入 - 输出电压差，当输出电压下降到低于2％，其
在1V的差分测量的标称值。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结
温度和结点到空气热阻。 （即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。
集成的MOSFET开关从L一体化二极管
X
引脚到V
IN
和由L-
X
以P
GND
。的情况下
这些二极管正向偏置时，封装的功耗限制，必须坚持。热保护是不
能够限制结温为这些情况。
V
IN1
和V
IN2
用相同的输入源被提供。
温度参数
电气连接特定的阳离子：
V ：除非另有说明，所有参数适用于指定
IN
= + 2.7V至+ 5.5V
参数
温度范围
工作结温范围
存储温度范围
最高结温
封装热阻
热阻， 10引脚DFN
θ
JA
—
41
—
° C / W
典型的4层电路板，内置
地平面和2个过孔热
PAD
典型的4层电路板，内置
地平面
T
J
T
A
T
J
-40
-65
—
—
—
—
+125
+150
+150
°C
°C
°C
短暂
稳定状态
符号
民
典型值
最大
单位
条件
热阻，10 - MSOP
θ
JA
—
113
—
° C / W
2009年Microchip的科技公司
DS21974B第7页
