TAS5614A
SLAS712 - 2010年6月
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电气特性（续）
PVDD_X = 36V ， GVDD_X = 12V ， VDD = 12V ，T
C
（外壳温度）= 75 ° C，F
S
= 384kHz ，除非另有规定。
参数
I / O保护
V
UVP ，G
V
UVP ， HYST
OTW2
(1)
测试条件
民
TYP MAX
10
0.6
单位
V
V
欠压保护限制， GVDD_x
过温报警1
过温报警2
(1)
OTW1
(1)
(1)
95
115
100
125
25
105
135
°C
°C
°C
OTW
HYST
OTE
(1)
OTE
HYST
OLPC
需要以下OTW温度降
温度OTW是不活动后
OTW事件。
过热错误
OTE - OTW差
复位需要发生的SD释放
下面的OTE事件
过负荷保护计数器
f
PWM
= 384kHz
电阻器 - 可编程的，标称峰值
目前在1Ω负载，R
OCP
= 30k
145
155
30
25
2.6
14
165
°C
°C
°C
ms
(1)
I
OC
过电流限制保护
电阻器 - 可编程的，标称峰值
目前在1Ω负载，R
OCP
= 22k
（肖特基二极管从OUT_X到
GND_X 。 ）
电阻器 - 可编程的，标称峰值
目前在1Ω负载，R
OCP
= 64k
A
18
14
A
18
I
OC_LATCHED
过电流限制保护
电阻器 - 可编程的，标称峰值
目前在1Ω负载，R
OCP
= 47k
（肖特基二极管从OUT_X到
GND_X 。 ）
从应用程序的简短状态时间
高阻受影响的半桥
当连接复位有效至
提供自举充电。不使用在SE的
模式。
1.9
I
十月
I
PD
过电流响应时间
内部下拉电阻，在每个输出
半桥
150
3
ns
mA
静态数码产品规格
V
IH
V
IL
I
LKG
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
内部上拉电阻， OTW1到VREG ，
OTW2到VREG ，标清到VREG
高电平输出电压
低电平输出电压
设备扇出OTW1 ， OTW2 ， SD ， CLIP ，
准备
内部上拉电阻
4.7kΩ的外部上拉至5V
I
O
= 4毫安
无需外部上拉
INPUT_X中，M1 ，M2，M3 ，RESET
V
0.8
100
V
mA
OTW /关断（ SD ）
R
INT_PU
V
OH
V
OL
扇出
(1)
20
3
4.5
200
30
26
3.3
33
3.6
5
500
k
V
mV
器件
按设计规定。
10
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TAS5614A
2010 ，德州仪器
