STK16C88
32K ×8
AutoStorePlus
NVSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
透明的数据保存在掉电
内部电容担保
自动存储
无论掉电压摆率
非易失性存储，而电池问题
可直接替代32K x 8静态RAM ，电池 -
支持RAM或EEPROM
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
商店
到EEPROM通过软件初始化或
AutoStorePlus
在掉电
从冲无数据丢失
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在全部工业
温度范围
商业和工业温度
28引脚PDIP封装
描述
该STK16C88是一个快速
SRAM
与非易失性
EEPROM
在每个静态MEM-纳入元素
ORY细胞。该
SRAM
可以读取和写入的
无限次，而独立非
易失性数据驻留在
EEPROM
。从数据传输
该
SRAM
对
EEPROM
（该
商店
操作）可
在断电时自动发生。内部
电容保证
商店
操作顾及─
少掉电压摆率。从转移
EEPROM
对
SRAM
（该
召回
操作）取
自动放置在电源恢复。倡
和灰
商店
和
召回
周期同样可以用来
通过对输入的控制序列受控
SRAM
输入。该STK16C88是引脚兼容的32k x
8
SRAM
s和电池供电的
SRAM
S，可直接
替换并增强其性能。该
STK14C88 ，它使用一个外部电容器，和
该STK15C88 ，它使用电荷存储在系统
电容，对于系统的选择需要
AutoStorePlus
操作。
框图
EEPROM阵列
512 x 512
V
CC
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
512 x 512
召回
动力
控制
国内
电容
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
行解码器
28 - 600 PDIP
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
软件
检测
A
0
- A
13
引脚名称
A
0
- A
14
W
DQ
0
- DQ
7
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
2002年2月
5-65
