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STK15C88
数据保留和耐力
参数
数据
R
NV
C
数据保留
非易失性存储操作
描述
民
100
1,000
单位
岁月
K
电容
在下面的表中，电容参数列。
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 0到3.0V
最大
5
7
单位
pF
pF
热阻
参数
在下面的表中，热阻参数列。
[4]
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循的标准试验方法和
用于测量热阻抗程序，
按照EIA / JESD51 。
28-SOIC
（ 300密耳）
待定
待定
28-SOIC
（ 330 MIL ）
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
图4.交流测试负载
R1 480Ω
5.0V
产量
30 pF的
R2
255Ω
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ... 0 V至3 V
输入上升和下降时间（ 10 ％ - 90 ％ ） ........................ <5 NS
输入和输出时序参考电平................... 1.5 V
记
4.这些参数由设计保证，未经测试。
文件编号： 001-50593修订版**
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