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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / RD / SST89E54RD2 / RD / SST89E58RD2 / RD
SST89V52RD2 / RD / SST89V54RD2 / RD / SST89V58RD2 / RD
数据表
间接访问：
MOV @ R0 ， #data ; R0包含90H
寄存器R0指向90H ，位于上
地址范围。在“ #data ”的数据被写入到RAM中的位置
90H ，而不是端口1 。
直接访问：
MOV90H ， #data ;写数据到P1
在“ #data ”的数据被写入到端口1说明了写
直接把地址写的SFR 。
要访问扩展内存， EXTRAM位必须是
清零和MOVX指令必须被使用。额外
768字节的存储器在物理上位于所述芯片上和
逻辑上占据第一768字节的外部存储器
（地址000H到2FFH ） 。
当EXTRAM = 0 ，扩展RAM是间接
组合使用MOVX指令寻址
与任何寄存器R0 ，所选择的银行或R1
DPTR 。访问扩展内存，不影响
P0口， P3.6 （ WR ＃ ） ， P3.7 （ RD ＃ ） ，或P2 。同
EXTRAM = 0 ，扩展RAM可以访问，
在下面的例子。
扩展RAM访问（只能间接寻址） ：
表
MOVX @ DPTR ， A; DPTR包含0A0H
DPTR指向0A0H和数据中的“ A”被写入地址
0A0H扩展RAM ，而不是外部存储器。
访问外部存储器高于使用2FFH的
MOVX指令访问外部存储器（ 0300H到
FFFFH ），并以同样的方式为标准进行
8051 ， P0和P2口作为数据/地址总线和P3.6和
P3.7作为写入和读出时序信号。
当EXTRAM = 1 ， MOVX @Ri和MOVX @DPTR会
类似于标准8051使用MOVX @Ri亲
志愿组织与端口0上的复用数据的8位地址。
其他输出端口的引脚可以用来输出高阶
地址位。这提供了外部分页功能。
使用MOVX @DPTR产生一个16位的地址。这
允许外部解决了64K 。端口2提供
高8位地址（ DPH ） ， P0口复用
为低8位地址（ DPL ）的数据。两
MOVX @Ri和MOVX @DPTR生成必要的
读写信号（ P3.6 - WR ＃和P3.7 - RD ＃ ）为
外部存储器使用。表3-3显示了外部数据存储器
储器RD ＃ ，与EXTRAM位WR ＃操作。
堆栈指针（SP）可以内位于任何地方
256字节的内部RAM （低128字节和高128
个字节）。堆栈指针可以不位于任何部分
扩展RAM 。
3-3 ：外部数据存储器RD ＃ ， WR ＃与EXTRAM位
MOVX @ DPTR ， A或MOVX A ， @ DPTR
MOVX @Ri ， A或MOVX A ， @Ri
ADDR = ANY
RD ＃ / WR ＃不能断言
1
RD ＃ / WR ＃断言
T3-3.0 1255
AUXR
EXTRAM = 0
EXTRAM = 1
ADDR < 0300H
RD ＃ / WR ＃不能断言
RD ＃ / WR ＃断言
ADDR > = 0300H
RD ＃ / WR ＃断言
RD ＃ / WR ＃断言
1.访问仅限于ERAM地址在0至（020）不能访问100H到02FFH 。
2006硅存储技术公司
S71255-05-000
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