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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / RD / SST89E54RD2 / RD / SST89E58RD2 / RD
SST89V52RD2 / RD / SST89V54RD2 / RD / SST89V58RD2 / RD
数据表
表14-7 ：直流电气特性SST89V5xRD2 / RD
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ; V
DD
= 2.7-3.6V; V
SS
= 0V
符号
V
IL
V
IH
V
IH1
V
OL
V
OL
参数
输入低电压
输入高电压
输入高电压（ XTAL1 ， RST ）
输出低电压（ 1.5端口， 1.6 ， 1.7 ）
输出低电压（端口1 ， 2 ，
3)
1
测试条件
2.7 < V
DD
< 3.6
2.7 < V
DD
< 3.6
2.7 < V
DD
< 3.6
V
DD
= 2.7V
I
OL
= 16毫安
V
DD
= 2.7V
I
OL
= 100A
2
I
OL
= 1.6毫安
2
I
OL
= 3.5毫安
2
V
OL1
输出低电压（端口0 ， ALE ， PSEN ＃ ）
1,3
V
DD
= 2.7V
I
OL
= 200A
2
I
OL
= 3.2毫安
2
V
OH
输出高电压（港口1 ， 2 ， 3 ， ALE ，
PSEN ＃ ）
4
V
DD
= 2.7V
I
OH
= -10A
I
OH
= -30A
I
OH
= -60A
V
OH1
输出高电压（端口0外部总线模式）
4
V
DD
= 2.7V
I
OH
= -200A
I
OH
= -3.2mA
V
BOD
I
IL
I
TL
I
LI
R
RST
C
IO
I
DD
欠压检测电压
逻辑0输入电流（端口1 ，2，3 ）
逻辑1到0跳变电流（端口1 ， 2 ， 3 ）
5
输入漏电流（端口0 ）
RST下拉电阻
引脚电容
6
电源电流
IAP模式
@ 33兆赫
主动模式
@ 33兆赫
空闲模式
@ 33兆赫
掉电模式
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
21
45
55
mA
A
A
T14-7.1 1255
民
-0.5
0.2V
DD
+ 0.9
0.7V
DD
最大
0.7
V
DD
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
1.0
0.3
0.45
1.0
0.3
0.45
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
DD
- 0.3
V
DD
- 0.7
V
DD
- 1.5
V
DD
- 0.3
V
DD
- 0.7
2.35
2.55
-75
-650
±10
225
15
V
A
A
A
KΩ
pF
V
IN
= 0.4V
V
IN
= 2V
0.45 ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
DD
-0.3
@ 1兆赫，25°C
47
30
mA
mA
1.在稳态（非瞬态）的条件下，我
OL
必须从外部限制如下：
我最大
OL
每个端口引脚：
15mA
我最大
OL
每8位端口：
26mA
我最大
OL
总计所有输出： 71毫安
如果我
OL
超过测试条件，V
OL
可能超过相关特定网络阳离子。不保证引脚可以吸收比目前更大
列出的测试条件。
2.容性负载，端口0和2会引起寄生噪声对V至叠加
OL
ALE的s和端口1和3的噪音
由于外部总线电容放电到端口0和2的引脚，当销使在总线操作1到0的转变。
在最坏的情况下（容性负载> 100pF的） ，在ALE引脚上的脉冲噪声可能会超过0.8V 。在这种情况下，可能期望
资格ALE带施密特触发器，或者使用一个地址锁存器带施密特触发器选通输入。
3.负载电容为P0口， ALE和PSEN ＃ = 100pF电容，负载电容为所有其它输出= 80pF 。
2006硅存储技术公司
S71255-05-000
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