位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1250页 > SST89E52RD2-40-C-TQJ > SST89E52RD2-40-C-TQJ PDF资料 > SST89E52RD2-40-C-TQJ PDF资料2第58页
FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / RD / SST89E54RD2 / RD / SST89E58RD2 / RD
SST89V52RD2 / RD / SST89V54RD2 / RD / SST89V58RD2 / RD
数据表
10.0 RESET
系统复位初始化MCU ，并开始计划
在执行程序存储单元0000H 。复位
输入设备是RST引脚。为了重置
装置中，一个逻辑电平高，必须施加到RST引脚为
至少两个机器周期（24个时钟）时，振荡器后
变得稳定。 ALE ， PSEN ＃被微弱拉高很好地协同
荷兰国际集团复位。在复位期间， ALE和PSEN ＃输出高电平
为了进行正确复位。这个级别必须不
受外部元件。系统复位不会影响
1 K字节的片上RAM ，同时在设备运行过程中，
然而，对片上RAM在上电期间的内容
是不确定的。在复位之后，所有的特殊功能
寄存器（SFR ）回归中概述其复位值
表3-5至3-9 。
V
DD
+
10F
-
RST
8.2K
C
2
XTAL2
V
DD
SST89E/V5xRDx
XTAL1
C
1
1255 F30.1
科幻gure
10-1 ：上电复位电路
10.1上电复位
初始上电后，该端口引脚将处于无序状态
直到该振荡器起振和内部复位algo-
rithm有弱上拉的所有引脚高。
开机的
设备没有有效的复位可能导致MCU
从开始一个不确定的执行指令
位置。这种不确定的状态可能会在不经意间cor-
中断在闪存中的代码。
当功率被施加到器件时，RST引脚必须
高举足够长的振荡器启动（通常
几毫秒为一个低频晶体） ，除了
两个机器周期一个有效的上电复位。一个应试
的方法来扩展的RST信号的PLE是实施
RC电路连接的RST引脚连接到V
DD
通过10
μF电容和V
SS
通过一个8.2KΩ的电阻为
如图10-1所示。注意，如果一个RC电路是为
使用时，规定提出，要确保V
DD
上升
时间不超过1毫秒和振荡器起动
时间不超过10毫秒。
对于低频振荡器慢启动时间的
必须被扩展，以占复位信号
慢启动时间。这种方法保持了必要的
V之间的关系
DD
和RST ，以避免编程
在一个不确定的位置，这可能会导致腐败
在闪光灯的代码。上电检测
专为功率可达最初工作时，电压前
到达掉电检测水平。 POF标志的
PCON寄存器被设置为指示初始上电条件
化。 POF标志将保持有效，直到用软件清零
洁具。请参见第3.6节， “电源控制寄存器
第30页（ PCON） “的详细信息。
有关系统级设计技术的更多信息，
请查看
FlashFlex51 MCU：振荡器电路
设计注意事项
应用笔记。
2006硅存储技术公司
10.2软件复位
软件复位是通过改变执行SFCF [ 1 ]
（SWR）从“0”到“1”。软件复位后，亲
程序计数器指向0000H地址。所有的SFR寄存器会
设置为它们的复位值，除了SFCF [1] （ SWR ） ， WDTC [ 2 ]
（ WDTS ） ，并且RAM中的数据将不被改变。
10.3欠压检测复位
该器件包括一个欠压检测电路保护
该系统从切断供给电压V
DD
波动。
SST89E5xRD2 / RD内部掉电检测门槛
为3.85V ， SST89V5xRD2 / RD掉电检测门槛
为2.35V 。对于欠压电压参数，请参考
表14-6和14-7 。
当V
DD
降到低于该电压阈值时，欠压
出探测器触发电路产生一个掉电
中断，但CPU仍然运行，直到电压供给
返回到掉电检测电压V
BOD
。该
一个掉电检测的默认操作是导致
处理器复位。
V
DD
必须保持低于V
BOD
至少有四个振荡器时钟围
ODS前掉电检测电路将作出回应。
掉电中断可以通过设置EBO位使能
在国际能源署（IEA）寄存器（地址：E8H ，位3） 。如果EBO位设置和
欠压情况发生时，一个掉电中断会
产生在位置004BH执行程序。这是
需要提到EBO位被软件之后清零
掉电中断服务程序。清除EBO位时，
欠压条件有效将正确重置设备。
如果掉电中断未启用，欠压条件
将复位程序的位置，以继续执行
0000H.
S71255-05-000
5/06
58
