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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / RD / SST89E54RD2 / RD / SST89E58RD2 / RD
SST89V52RD2 / RD / SST89V54RD2 / RD / SST89V58RD2 / RD
数据表
4.0 FLASH存储器编程
该器件内部闪存进行编程或
通过在应用编程（ IAP ）模式下删除。
4.2.2记忆库选择了在应用中
编程模式
与寻址范围限制在16位，只有64 K字节
的程序的地址空间是“可见的”在任何一个时间。该
存储体选择（ EA的＃配置和SFCF [1 ：0]） ，
允许块1存储要在最低8重叠
K字节的块0的内存，使得1座可到达。该
相同的概念被用来使两个块0和块
1闪光灯可以访问IAP操作。从代码
块是不可见也可以不使用作为源到亲
克另一个地址。然而，一个块是不是“看得见”
可以由代码从其他块通过编程
邮箱寄存器。
该器件允许IAP代码在内存中的一个块亲
克的存储器中的其它块，但也可以不设定任何
位置在同一个块。如果IAP操作起源
从物理块0 ，此操作的目标是implic-
式地定义为在1块如果IAP操作始发
物理块1 ，那么目标地址是隐含
定义为在0块如果IAP操作来源于
外部程序空间，那么，目标将取决于
地址和存储体选择的状态。
4.2.3 IAP使能位
在IAP使能位， SFCF [ 6 ] ，使得在应用中亲
编程模式。直到该位被置位，所有的Flash编程
IAP的命令将被忽略。
4.2.4在应用中编程模式
COMMANDS
以下所有命令只能在启动
IAP模式。在所有情况下，写控制字节到
SFCM寄存器将启动所有的操作。所有的COM
如果启用了安全锁指令都会无法启用
对所选择的存储块。
该计划的命令是用于编程新数据
存储器阵列。存储器阵列的一部分是
程序应该处于擦除状态， FFH。如果
存储器不被擦除，首先应当用一个擦除
相应的擦除命令。
警告：不要试图
写（编程或擦除），以块代码是电流
从rently获取。这将导致不可预知的亲
克的行为，并可能会破坏程序的数据。
4.1产品标识
在读ID命令访问的签名字节
识别设备和制造商为SST。外
程序员主要使用在这些标识字节
选择的编程算法。
表
4-1 ：产品标识
地址
制造商ID
器件ID
SST89E52RD2/RD
SST89V52RD2/RD
SST89E54RD2/RD
SST89V54RD2/RD
SST89E58RD2/RD
SST89V58RD2/RD
31H
31H
31H
31H
31H
31H
9DH
9CH
9FH
9EH
9BH
9AH
T4-1.2 1255
数据
BFH
30H
4.2在应用中编程模式
该器件提供两种16/24/40 K字节的应用程序的
可编程闪存。期间，在应用中亲
编程，单片机的CPU进入IAP
模式。闪存的两块允许CPU
从一个块时执行用户代码，而另一个是被
删除或并发编程。该CPU还可以
从外部存储器取码，而所有内部闪光
正在被重新编程。邮箱寄存器（马时亨，
SFCM ， SFAL ， SFAH ，位于出特殊SFDT和SFCF ）
CIAL功能寄存器（ SFR ） ，控制和监视
设备的擦除和编程过程。
表4-2轮廓的命令及其关联的邮件 -
中寄存器的设置。
4.2.1在应用中编程模式时钟
来源
在IAP模式下， CPU核心和闪光灯控制 -
LER装置被赶走的外部时钟。然而，一个跨
内部振荡器将提供程序定时参考，并
擦除操作。内部振荡器只开启
在需要时，以及处于关闭状态，一旦闪存能操作
值，我们完成了。
2006硅存储技术公司
S71255-05-000
5/06
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