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PC133 SDRAM无缓冲DIMM
HYM72V64736 （L）的T8系列
持续
字节
数
BYTE73
BYTE74
BYTE75
BYTE76
BYTE77
BYTE78
BYTE79
BYTE80
BYTE81
BYTE82
BYTE83
BYTE84
BYTE85
~90
BYTE91
BYTE92
BYTE93
BYTE94
BYTE95
~98
BYTE99
~125
BYTE126
BYTE127
BYTE128
~256
功能
描述
制造商零件编号（组件）
制造商零件编号（256型）
制造商零件编号（ Voltage接口）
制造商零件编号（存储宽度）
....制造商零件编号（存储宽度）
制造商零件编号（数据宽度）
....制造商零件编号（数据宽度）
制造商零件编号（ Refresh（刷新） ， SDRAM行）
制造商零件编号（封装类型）
制造商零件编号（组件配置）
制造商零件编号（ Hyphent ）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号
修订代码（子项目）
....修订码（ PCB）
生产日期
....生产日期
装配序列号
制造商的具体数据（可能在将来使用）
系统频率支持
为100MHz的英特尔支持的详细规格
未使用的存储位置
功能
-HP
图7（ SDRAM）的
2
V（ 3.3V ， LVTTL ）
6
4
7
3
6 （ 8K刷新， 4Banks ）
T
8 （ X8为主）
- （连字符）
H
P
H
空白
过程代码
过程代码
工作周
YEAR
-
无
100MHz
参见注7
-
48h
50h
价值
-H
-HP
37h
31h
56h
33h
32h
37h
33h
36h
54h
48h
2Dh
48h
20h
-
-
-
-
-
00h
64h
FFH
00h
-H
记
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 6
4, 6
3, 6
3, 6
6
7, 8, 9
7, 8, 9
注意：
1.银行地址被排除
2. 1 ，2，4 ， 8，用于交错突发类型
3.采用BCD
4.采用ASCII
5.基本上海力士写型号，除了“ HYM ”在字节73 90 ，从73字节利用有限的18个字节为90字节
6.不是固定的，而是依赖
连接至DIMM ， TBD结温， CL2 （ 3 ）支持7 CK0 CK3 ，英特尔定义的并行自动预充电支承的培养
8.参照最近的英特尔和JEDEC SPD规范
9.这些值只适用于每英特尔PC SDRAM PC100规格的应用
10.请参考海力士网站
字节81 85 L-部分
字节
数
BYTE81
BYTE82
BYTE83
BYTE84
BYTE85
功能
描述
制造商零件编号（电源）
制造商零件编号（封装类型）
制造商零件编号（组件配置）
制造商零件编号（ Hyphent ）
制造商零件编号（最小周期时间）
功能
-H
L
T
8 （ X8为主）
- （连字符）
价值
-H
4Ch
54h
48h
2Dh
记
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
H
48h
修订版0.2 /一月02
6
