SM6S系列
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
设备类型
击穿电压
V
（ BR ）
(V)
分钟。
SM6S10
SM6S10A
SM6S11
SM6S11A
SM6S12
SM6S12A
SM6S13
SM6S13A
SM6S14
SM6S14A
SM6S15
SM6S15A
SM6S16
SM6S16A
SM6S17
SM6S17A
SM6S18
SM6S18A
SM6S20
SM6S20A
SM6S22
SM6S22A
SM6S24
SM6S24A
SM6S26
SM6S26A
SM6S28
SM6S28A
SM6S30
SM6S30A
SM6S33
SM6S33A
SM6S36
SM6S36A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
测试电流
I
T
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10.0
10.0
11.0
11.0
12.0
12.0
13.0
13.0
14.0
14.0
15.0
15.0
16.0
16.0
17.0
17.0
18.0
18.0
20.0
20.0
22.0
22.0
24.0
24.0
26.0
26.0
28.0
28.0
30.0
30.0
33.0
33.0
36.0
36.0
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大最大。最大峰值
反向
脉冲
夹紧
泄漏
当前
电压
在V
WM
在10 / 1000μs
I
PPM
o
TC = 175℃波形
V
C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
(A)
245
271
229
253
209
231
193
214
178
198
171
189
160
177
151
167
143
158
128
142
117
130
107
118
99
109
92
101
86
95
78
86
72
79
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
注意：
对于所有类型的最大V
F
=我在1.9V
F
= 100A测量8.3ms单半正弦波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
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2
文档编号88384
01-Aug-02
