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IRFB16N50K ， SiHFB16N50K
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
89
27
43
单身
D
特点
500
0.285
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
低R
DS （ ON）
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
G
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
高速电源开关
硬开关和高频电路
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFB16N50KPbF
SiHFB16N50K-E3
IRFB16N50K
SiHFB16N50K
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
500
± 30
17
11
68
2.3
310
17
28
280
11
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。起始物为
J
= 25℃时，L = 2.2毫亨，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 17 A.
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
500 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91096
S- 80567 -REV 。 A， 20军08
www.vishay.com
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WORK -IN -PROGRESS
