Si4418DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
200
特点
I
D
(A)
3
2.8
r
DS （ ON）
(W)
0.130 @ V
GS
= 10 V
0.142 @ V
GS
= 6.0 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100 ％通过Rg测试
应用
D
初级侧开关
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4418DY -E3
Si4418DY -T1 -E3 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量（占空比
v1%)
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
L = 0 1毫亨
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
200
"20
3
2.1
12
6
1.8
2.1
2.5
1.3
稳定状态
单位
V
2.3
1.6
A
mJ
1.25
1.5
0.8
A
W
_C
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
36
71
15
最大
50
85
20
单位
° C / W
C / W
1
