Si1972DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.4
1.4
1.2
动力迪
ss
ip
a
TION （W）的
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
2.0
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
1.6
包装有限公司
1.2
0.8
0.4
0.0
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额
*本
功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上耗散更多的有用
而不能使极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
2
1
规范
a
lized有效Tr的
a
n
s
IENT
THERM
a
升Imped
a
的nCE
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单身
脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
波脉冲持续时间（秒）
2.每单位基础= R
thJA
= 170 ° C / W
3.
T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.
表面
安装
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
文档编号： 74398
S- 62442 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
www.vishay.com
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