Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1000
T
J
= 125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
4
I
D
= 350毫安
3
I
D
= 200毫安
2
I
S
- 源电流（mA ）
5
100
T
J
= 25 °C
T
J
= - 55 °C
10
1
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.3
3.0
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
V
GS （ TH）
方差
(V)
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- (A)
2.5
2.0
0
1.5
- 0.1
1.0
V
GS
= 4.5
V
- 0.2
0.5
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压变化与温度的关系
BV
GSS
- 栅极至源极击穿
电压
(V)
7
6
5
4
3
2
1
0
- 50
I
GSS
与温度的关系
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
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4
文档编号： 71166
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
