SFH690ABT / AT / BT / CT
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器（ 1.0秒）
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒浸焊的距离
以飞机座位
≥1.5
mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
3750
≥
5.33
≥
5.08
≥
0.4
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
200
P - 功率耗散（ mW）的
合计
150
PHOTOTRANSISTOR
100
50
二极管
0
0
18484
25
50
75
100
125
150
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
图1.允许功耗与环境温度
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2
文档编号83686
修订版1.5 ， 20 -APR- 04
