SFH608
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
1070
10
民
典型值。
1.1
最大
1.5
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
电压时，集电极 - 发射极
电压，发射极 - 基极
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EB
= 10
A
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
符号
V
首席执行官
V
EBO
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
民
55
7.0
10
16
10
500
10
200
典型值。
最大
单位
V
V
pF
pF
pF
K / W
nA
耦合器
参数
耦合电容
饱和电压，集电极 -
辐射源
I
C
= 0.32毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 01.25毫安，我
F
= 1.0毫安
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
测试条件
部分
符号
C
C
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
民
典型值。
0.60
0.25
0.25
0.25
0.25
0.4
0.4
0.4
0.4
最大
单位
pF
V
V
V
V
电流传输比
参数
耦合传输比
测试条件
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH608-2
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-5
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
63
32
100
50
160
80
250
125
300
200
500
120
320
75
200
典型值。
最大
125
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83664
修订版1.4 ， 10月26日04
www.vishay.com
3
