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SEMiX603GB066HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 360 V
V
GE
≤
15 V
V
CES
≤
600 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
600
720
541
600
1200
-20 ... 20
6
-40 ... 175
771
562
600
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
1200
1800
-40 ... 175
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX603GB066HDs
T
j
= 175 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用*
矩阵变换器
谐振逆变器
电流源逆变器
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
I
C
= 600 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
37.0
2.31
1.10
4800
0.67
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
150
145
12
1050
105
43
0.087
1.45
1.7
0.9
0.85
0.9
1.4
5.8
0.15
1.85
2.1
1
0.9
1.4
2.0
6.5
0.45
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
短路：软
高夫
推荐
以引起过电压的护理
杂散电感
V
GE
=V
CE
, I
C
= 9.6毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 600 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 300 V
I
C
= 600 A
R
G于
= 3
R
克OFF
= 3
GB
由赛米控
牧师13日 - 2009年12月16日
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