位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第845页 > SA25F020LEMLFF > SA25F020LEMLFF PDF资料 > SA25F020LEMLFF PDF资料1第1页
特点
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Saifun的NROM 闪存单元
串行外设接口（ SPI ）兼容，
支持SPI模式0 （0,0）和3 （1,1）的
页编程操作：
1024页（ 256字节/页）
单页重写周期（擦除和编程）在10毫秒
典型
页面编程模式（最多256个字节） 8ms的典型
页擦除（ 256字节） 3毫秒
扇区擦除（ 512 KB ）在0.5秒
批量擦除（ 2 MB）
单电源电压： 2.7 V至3.6 V
25MHz的时钟速率
块写保护：保护季度，半年或整个阵列
写保护引脚和写的都禁用指令
硬件和软件数据保护
100,000次擦写循环（最小）
超过20年的数据保留
低功耗待机电流（小于1μA ）
8 - SOIC窄包
MLF无铅封装
温度范围：
工业： -40 ° C至+ 85°C
商业： 0 ° C至+ 70°C
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SA25F020
先进
信息
2MB串行Flash
与25MHz的SPI总线
接口
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http://www.saifun.com
Saifun的NROM
TM
是赛凡半导体有限公司的商标。
该数据表规定Saifun的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
1986
启：
1
发行日期：
2003年7月24日
修订：
0
