CMOS串行ê
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舞会
S-93C46A/56A/66A
CS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
29
40
41
42
43
44
45
SK
24
25
26
27
28
DI
1
1
0
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DO
高阻
0
D
15
D
14
D
13
D
2
D
1
D
0
D
15
D
14
D
13
D
2
D
1
D
0
D
15
D
14
D
13
高阻
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
+1
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
+2
图6
阅读时（S - 93C66A ）
2.写（ WRITE ， ERASE ， WRAL ， ERAL ）
有四种写指令，写，擦除， WRAL ，艾莱依。每个自动开始写入到非
易失性存储器，当CS为低电平时完成指定的时钟输入。
写操作在10毫秒完成（T
PR
最大值） ，并且典型的写周期小于5毫秒。在S-
93C46A / 56A / 66A ，就容易VERIFY ，以便通过设置以减少写入周期中的写操作完成时的
CS为高，检查DO引脚，这是写操作在低和高建成后。该校验
程序可以执行一遍又一遍。
因为所有的SK和DI输入写操作过程中忽略的，指令的任何输入也将被忽略。
当写操作完成之后DO输出高或者，如果它是处于高阻抗状态（高阻态） ，所述输入
可用的指令。即使DO引脚保持高电平，它将在承认一个进入高阻抗状态
高附着于SK脉冲的上升沿的DI （开始位）组成。 （参见图3）。
DI输入应在校验过程中是低的。
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