RT9166/A
应用信息
像任何低压差稳压器， RT9166 / A系列
要求输入和输出去耦电容。这些
电容必须正确选择性能良好
（见电容特性部分） 。请注意
线性稳压器具有低压差电压具有高
需要小心防范内部回路增益
振荡引起足够的去耦电容。
输入电容
的一个输入端的电容
1μF之间需要
器件的输入引脚和地直接（的量
电容可以增加，而不限制） 。输入
电容
必须
位于小于1厘米距离的装置
以保证输入的稳定性（见PCB布局部分） 。较低
ESR的电容器允许使用更小的电容，而
高ESR类型（如铝电解）需要更多的
电容。
电容型（铝，陶瓷和钽）可
混合并联，但总的等效输入电容/
血沉必须定义如上，以稳定的操作。
没有要求，为的ESR对输入
电容，但容差和温度系数必须的
被认为是当选择所述电容器，以保证
电容会
1μF在整个操作
温度范围。
输出电容
该RT9166 / A是专门设计具有非常合作
小型陶瓷输出电容器。推荐
最小电容（温度特性X7R或
X5R ）为1pF到4.7uF的范围为10mΩ至50mΩ的范围
LDO输出和GND之间的陶瓷电容器
暂态稳定，但也可以无限制地增加。
高电容值有助于改善瞬态。该
因为它形成了一个零输出电容器的ESR是关键
以提供所需的环路稳定性相位超前。
（当使用Y5V电介质中，最小的值
输入/输出电容，可用于稳定的
整个工作温度范围为3.3μF 。 ）
无负载稳定度
该器件将保持稳定，并在规定无
外部负载。这是CMOS RAM中特别重要
保持活跃的应用程序。
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输入输出（降）电压
监管机构的最小输入至输出电压差
（压差）确定的最低可用电源
电压。在电池供电的系统，这就决定了
报废有用的电池电压。由于该设备的用途
为PMOS ，其电压差漏 - 源的函数
导通电阻，R
DS （ ON）
乘以负载电流：
V
降
= V
IN
- V
OUT
= R
DS （ ON）
X我
OUT
电流限制
该RT9166 / A监视和控制PMOS '门
电压，最小限制输出电流
300mA的电流为
RT9166和600毫安为RT9166A 。
输出可以是
接地短路的时间无限期无
损坏部分。
短路保护
该装置被短路保护和在一个事件
峰过电流条件下，短路控制环路
将迅速驱动输出PMOS通元件关闭。一旦
功率传递元件关闭时，控制环路将
快速循环打开和关闭，直到平均功率输出
耗散引起的热关断电路来回应
为伺服开/关循环到较低的频率。请
请参考上电源热信息
功耗计算。
电容特性
需要注意的是电容容差是非常重要的，并
随温度的变化，必须考虑到
选择电容器时，使所需要的最小
设置在整个工作电容的量
温度范围。在一般情况下，一个好钽电容
将显示与温度很少的电容变化，
但陶瓷可能不是那么好（取决于电介质
型） 。
铝电解通常还具有大
电容值的温度变化。
考虑同样重要的是电容的ESR变化
随温度：这不是一个问题，用陶瓷作为
其ESR极低。然而，这是非常重要的
钽和铝电解电容器。这两个展会
增加ESR ，在寒冷的气温，但增幅
DS9166 / A- 2008年4月19日
