RJK0351DSP
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1721-0200
Rev.2.00
2008年7月10日
特点
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 4.0 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
无铅
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8<FP - 8DAV> ）
87
65
5 6 7 8
D D D D
3
12
4
4
G
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到环境热阻
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
AP注2
Note1
评级
30
±20
20
160
20
17
28.9
2.5
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
E
AR
PCH
Note3
θch -A
Note3
总胆固醇
TSTG
注2
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10s
REJ03G1721-0200 Rev.2.00 2008年7月10日
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