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初步
R1WV6416R系列
64MB先进LPSRAM （ 4M字X 16位/ 800万字X 8位）
REJ03C0368-0001
初步
Rev.0.01
2008.03.24
描述
该R1WV6416R系列是由组织为4,194,304字一个家庭的低电压64兆位静态RAM的
16位，瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1WV6416R系列是适用于存储应用中一个简单的接口，电池的使用
和备用电池是重要的设计目标。
12毫米X 20毫米有：在R1WV6416R系列采用48引脚薄型小尺寸封装[ TSOP （ I）提供
0.5毫米引脚间距] ， 52针微型薄型小尺寸封装[
TSOP （ II ） ： 10.79毫米X 10.49毫米与引脚间距
为0.4mm ]和48球细间距球栅阵列[F -BGA ]包。它提供了对压实的最佳解决方案
安装区，以及印刷电路板的布线图案的灵活性。
特点
单2.7 3.6V电源
小的待机电流： 8 μA （ 3.0V ，典型值）
没有时钟，没有刷新
所有的输入和输出为TTL兼容。
由CS1 ＃ ， CS2 ， LB ＃和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE ＃防止数据争用I / O总线上
订购信息
型号
R1WV6416RSA-5S%
R1WV6416RSA-7S%
R1WV6416RSD-5S%
R1WV6416RSD-7S%
R1WV6416RBG-5S%
R1WV6416RBG-7S%
存取时间
55纳秒
*1
70纳秒
55纳秒
*1
70纳秒
55纳秒
*1
70纳秒
包
12毫米X 20毫米48引脚塑料TSOP （ I）
（正常弯曲型） （ 48P3R ）
350万52引脚塑料
μ- TSOP
(II)
（正常弯曲型） （ 52PTG ）
F- BGA 0.75毫米间距48球
注1 。 55ns份可输入时序限制朝向上SRAM顾客的条件下得到支持
系统。请联系我们的销售办公室在您所在的地区，如研讯为55ns部分。
％ - 温度版本;见下面的表
温度范围
0 ~ +70 °C
-40 ~ +85 °C
%
R
I
REJ03C0368-0001 ， Rev.0.01 ， 2008年3月24日
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