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PSD813F1V
读
典型条件下，微控制器可
读取读取使用Flash或EEPROM存储器
操作就像它的ROM和RAM器件。
另外，该微控制器可使用OP- READ
操作，以获取有关亲的状态信息
克或正在进行擦除操作。最后，该
微控制器可以使用指令读spe-
从这些回忆CIAL数据。下面的节
系统蒸发散形容这些读功能。
读取存储器的内容。
主Flash被放置在
上电后，芯片复位，或阅读模式
复位FLASH指令（见
表8 ，第20页） 。
微控制器可以读取存储内容
主闪存或EEPROM通过读操作
TIONS任何时候读取操作是不是一个组成部分
指令序列。
阅读主Flash存储器标识符。
主
闪速存储器的标识符被读取的指令
由4个操作：
3具体的写操作和读操作
（请参阅表
8).
在读取操作期间， AD-
连衣裙位A6， A1和A0必须是0,0,1 ， respec-
疑心，及相应的部门选择信号
（FSI）必须是活动的。闪存ID是E3H的
PSD 。 MCU可以读取ID只当它是EX-
从EEPROM ecuting 。
阅读主要闪存扇区保护
状态。
主要的闪存部门保护
状态被读取为4构成的指令
操作： 3具体WRITE操作和一
读操作（见
表8 ，第20页） 。
中
读操作时，地址位A6， A1和A0
必须是0,1,0 ，分别，而芯片选择
FSI指定的闪存部门的保护
已经得到证实。读操作会亲
领袖01H如果Flash扇区保护，或者如果00H
该行业是不受保护的。
所有NVM块的扇区保护状态
（主闪存或EEPROM ），可通过MI-读
crocontroller访问的闪存保护
PSD / EE保护寄存器中PSD的I / O空间。
SEE
闪存和EEPROM部门
保护，第30页
对于寄存器定义。
表9.状态位
设备
FL灰
EEPROM
FSI /
CSBOOTi
V
IH
V
IL
EESI
V
IL
V
IH
DQ7
数据轮询
数据轮询
DQ6
切换
旗
切换
旗
DQ5
错误
旗
X
DQ4
X
X
DQ3
抹去
TIMEOUT
X
DQ2
X
X
DQ1
X
X
DQ0
X
X
读OTP行。
有64个字节的
一次性可编程（ OTP）存储器的重新
一边在EEPROM中。这64个字节是除了
至32千字节的EEPROM存储器。在读
该OTP行与组成一条指令完成
的至少4操作： 3具体写操作
tions和一个64读操作（见
表
8 ，第20页） 。
在读操作（S ） ， AD-
连衣裙位A6必须是零，而地址位A5-
A0定义OTP行的字节被读取，而任何
EEPROM部门选择信号（ EESI ）是有效的。自动对焦
器读出的最后一个字节的EEPROM返回指令
梁支必须执行（见
表
8 ，第20页） 。
读擦除/编程状态位。
该
PSD提供了所使用的几种状态位
微控制器来完成确认的
擦除或Flash的编程指令memo-
RY 。位也可用来显示的状态
写入EEPROM 。这些状态位的最小化
该微控制器所花费的时间perform-
荷兰国际集团这些任务，并在表中定义
9.
该
根据需要，状态位可被读取多次。
对于闪存，微控制器可以进行有
形成一个读操作，以获得这些状态位
而擦除或编程指令正在EX-
通过嵌入算法ecuted 。见节
化
标题
程序设计
FL灰
MEMORY ，第27页
了解详细信息。
对于EEPROM不是在SDP模式下， microcontrol-
不可测量可以执行一个读操作，以获得这些
状态位刚过数据写入操作。该
微控制器可以前写一个64字节
读出状态位。看到标题为
写入EEPROM ，第24页
了解详细信息。
对于EEPROM中的SDP模式下，微控制器
将执行读操作来获得这些台站
状态位的同时， SDP写指令正在EX-
通过嵌入算法ecuted 。见
标题
EEPROM软件数据保护
（ SDP ） ，第24页
了解详细信息。
注：1，X =非保证值，可以读取1或0 。
2. DQ7 - DQ0表示数据总线位数， D7 -D0 。
3， FSI和EESI高电平有效。
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