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输出被置于高阻抗状态,不知疲倦
下垂的OE #输入。
该器件进入CMOS待机模式时, CE#
引脚保持在V
CC
±
为0.5V (注意,这是一个更
限制电压范围比V
IH
) ,器件进入
当CE#引脚保持在V的TTL待机模式
IH
.
该设备需要接入标准时间(t
CE
)读
访问时,该设备在任一这些备用的
模式,它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明,该器件消耗的有功电流,直到
操作完成。
在DC特性表,我
CC3
代表
待机电流规格。
输出禁止模式
当OE #输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。
表2中。
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
Am29F004B热门引导块扇区地址
A15
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
扇区大小
(千字节)
64
64
64
64
64
64
64
32
8
8
16
地址范围
(以十六进制表示)
00000h–0FFFFh
10000h–1FFFFh
20000h–2FFFFh
30000h–3FFFFh
40000h–4FFFFh
50000h–5FFFFh
60000h–6FFFFh
70000h–77FFFh
78000h–79FFFh
7A000h–7BFFFh
7C000h–7FFFFh
表3中。
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
A18
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
Am29F004B底部引导块,扇区地址
A15
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
A14
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
X
0
1
X
X
X
X
X
0
1
X
扇区大小
(千字节)
16
8
8
32
64
64
64
64
64
64
64
地址范围
(以十六进制表示)
00000h–03FFFh
04000h–05FFFh
06000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–1FFFFh
20000h–2FFFFh
30000h–3FFFFh
40000h–4FFFFh
50000h–5FFFFh
60000h–6FFFFh
70000h–7FFFFh
A16
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
Am29F004B
9

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