PIC16F785
表3-2：
模式
XT
HS
陶瓷谐振器
频率
455千赫
2.0兆赫
4.0兆赫
8.0兆赫
16.0兆赫
OSC1 （C1）的
68-100 pF的
15-68 pF的
10-68 pF的
15-68 pF的
10-22 pF的
OSC2 （C2）的
68-100 pF的
15-68 pF的
10-68 pF的
15-68 pF的
10-22 pF的
3.3.4
外部RC模式
外部阻容（ RC）模式支持
使用外部RC电路。这允许
在频率的选择，而设计师最大的灵活性
将成本保持在最低限度时，时钟精度不
所需。有两种模式， RC和RCIO 。
在RC模式下，RC电路连接到OSC1引脚。
在OSC2 / CLKOUT引脚输出RC振荡器
频率的4 ，该信号分割可被用于
为外部电路，同步提供时钟，
校准，测试或其他应用需求。
图3-5显示了RC模式的连接。
注意：
这些数值仅供参考，
只。
请参见本表注释。
表3-3：
电容选择
晶体振荡器
水晶
频率
32千赫
200千赫
1兆赫
4兆赫
帽。范围
C1
15-33 pF的
47-68 pF的
15-33 pF的
15-33 pF的
15-33 pF的
15-33 pF的
15-33 pF的
帽。范围
C2
15-33 pF的
47-68 pF的
15-33 pF的
15-33 pF的
15-33 pF的
15-33 pF的
15-33 pF的
图3-5：
V
DD
R
EXT
RC模式
振荡器类型
LP
XT
OSC1
C
EXT
V
SS
国内
时钟
PIC16F785
HS
4兆赫
8兆赫
20兆赫
注意：
这些数值仅供参考，
只。
请参见本表注释。
OSC2/CLKOUT
F
OSC
/4
推荐值： 3千欧
≤
R
EXT
≤
100千欧（V
DD
≥
3.0V)
10 kΩ
≤
L
≤
100千欧（V
DD
＆ LT ;
3.0V)
C
EXT
> 20 pF的
注1 ：
电容越大，稳定性
振荡器，但也增加了
启动时间。
2:
由于每个谐振器/晶振都有其自身
的特性，用户应咨询
谐振器/晶振制造商
适当
值
of
外
组件。
3:
R可被要求以避免过驱动
晶体的低驱动电平规范。
在RCIO模式下，RC电路连接到OSC1
引脚。 OSC2引脚变成了一个额外的
通用I / O引脚。在I / O引脚成为PORTA的bit 4
（ RA4 ） 。图3-6显示了RCIO模式的连接。
图3-6：
V
DD
R
EXT
RCIO模式
OSC1
C
EXT
V
SS
RA4
I / O （ OSC2 ）
国内
时钟
PIC16F785
推荐值： 3千欧
≤
R
EXT
≤
100千欧（V
DD
≥
3.0V)
10 kΩ
≤
R
EXT
≤
100千欧（V
DD
＆ LT ;
3.0V)
C
EXT
> 20 pF的
RC振荡器的频率是供电的功能
电压时，电阻器（R
EXT
）和电容（C
EXT
)
值以及工作温度。此外
此，振荡器频率将发生变化，从单元到单元的
由于正常的阈值电压。此外，昼夜温差
ference封装引线电容
类型也会影响振荡频率或低
C
EXT
值。用户还需要考虑到
变化，由于外部RC元件的容差
使用。
DS41249B第26页
初步
2005年Microchip的科技公司
