PIC16F785
表18-7 ：
比较器规范
标准工作条件（除非另有说明）
工作温度
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C
民
—
0
—
+70*
—
—
典型值
±5
—
—
—
—
—
最大
待定
V
DD
– 1.5
200*
—
20*
40*
单位
mV
V
nA
dB
ns
ns
国内
输出引脚
评论
比较器规范
PARAM
号
C01
C02
C03
C04
C05
*
注1 ：
符号
V
OS
V
CM
I
LC
C
MRR
T
RT
特征
输入失调电压
输入共模电压
输入漏电流
共模抑制
比
响应时间
(1)
这些参数是特征值，未经测试。
响应时间是一个比较器输入端为（ V
DD
- 1.5） / 2，而从另一输入端的电压
V
SS
到V
DD
– 1.5V.
表18-8 ：
比较器参考电压（ CV
REF
）规格
标准工作条件（除非另有说明）
工作温度
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C
民
—
—
—
—
—
—
典型值
V
DD
/24*
V
DD
/32
—
—
2K*
—
最大
—
—
±1/4*
±1/2*
—
10*
单位
最低位
最低位
最低位
最低位
Ω
μs
评论
低量程（ VRR =
1)
高量程（ VRR =
0)
低量程（ VRR =
1)
高量程（ VRR =
0)
比较器参考电压规范
PARAM
号
CV01
CV02
CV03
CV04
*
注1 ：
符号
CV
水库
特征
决议
绝对精度
单位电阻值（ R）
建立时间
(1)
这些参数是特征值，未经测试。
解决在VRR测量时间=
1
和VR<3 ： 0>来自过渡
0000
to
1111.
表18-9 ：
参考电压（ VR ）技术规格
标准工作条件（除非另有说明）
工作温度
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C
民
待定
—
—
—
典型值
1.200
150
200
10
最大
待定
待定
—
100*
单位
V
PPM /
°
C
μV/V
μs
评论
3.0V
≤
V
DD
≤
5.5V
VR参考电压规范
PARAM
号
VR01
VR02
VR03
VR04
符号
V
大败
TCV
OUT
特征
VR电压输出
电压漂移温度
系数
电压相对于漂移
V
DD
规
建立时间
Δ
V
大败
/
Δ
V
DD
T
稳定
图例：
TBD =待定
*这些参数为特性值，但未经测试。
2005年Microchip的科技公司
初步
DS41249B第159页
