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SBOS510B - 2010年3月 - 修订2010年5月
图35
描绘了一个具体的例子，其中输入
电压，V
IN
，超过正电源电压
(+V
S
）通过为500mV或更高。大部分在发生什么
电路取决于电源特性。如果
+V
S
可吸收的电流，上侧的输入中的一个
控向二极管导通，电流引导到+ V
S
.
过高的电流水平可以与流
越来越高的V
IN
。其结果是，该数据表
规范建议应用程序限制
10mA的输入电流。
如果供应不能够吸收电流，V的
IN
可能开始采购电流操作
放大器，然后接任正源
电源电压。在这种情况下的危险是，
电压上升到超过业务水平
放大器的绝对最大额定值。
另一个常见的问题涉及到发生了什么
如果输入信号被施加到输入放大器
而电源的+ V
S
和/或-V
S
是在0V 。
再次，这取决于电源特性，而在
0V，或者在输入信号的振幅低于一个电平。如果
耗材显示为高阻抗，则
运算放大器的电源电流可被提供
通过经由当前转向二极管的输入源。
这种状态是不正常的偏置条件;放大器
最有可能将不能正常工作。如果耗材
是低阻抗，则电流通过
控向二极管可能会变得非常高。趋势/涌流
电平取决于输入源来的能力
输送电流，并且在所述输入路径中的任何阻力。
如果有关于的能力的不确定性
供给吸收该电流，外部齐纳二极管
可加入到电源引脚，如图
图35 。
齐纳电压的选择必须
该二极管不会在正常打开
操作。
然而，它的齐纳电压应低到足以使
该齐纳二极管导通，如果电源引脚开始
超越安全工作电源电压电平。
TVS
(2)
R
F
+V
+V
S
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R
I
-IN
R
S
I
D
V
IN
(1)
(3)
+ IN
运算放大器
CORE
ESD电流 -
控向二极管
边沿触发ESD
吸收电路
OUT
R
L
-V
-V
S
TVS
(2)
(1)
(2)
(3)
V
IN
= +V
S
+ 500mV的。
TVS ： + V
S（ MAX）的
＆ GT ; V
TVSBR （最小值）
> + V
S
建议值大约为1kΩ 。
图35.等效内部ESD电路及其与典型应用电路
2010 ，德州仪器
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