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NAND128 -A ， NAND256 -A ， NAND512 -A ， NAND01G -A
页编程
页面编程操作是标准的能操作
ATION编程数据传送到存储器阵列。
存储器阵列的主区是亲
通过编程页面，但部分页编程
明被允许在那里任意数目的字节（ 1
528 ）或字（ 1 264）可被编程。
连续的部分页的最大数目
编程操作可在同一页面
3 。超过此块擦除后的COM
命令必须在任何进一步的节目发行
操作可以发生在那一页。
在开始页面编程操作的点 - 之前
器就可以执行操作为指向区
进行编程。参阅
指针操作
系统蒸发散
部分和
图12 。
了解详细信息。
每一页编程操作由五个
步骤（见
图17 ） ：
1.一个总线周期内，需要设置页面
程序命令
2.四个总线周期，然后要求输入
程序地址（指
表6 ）
图17.页面编程操作
tBLBH2
3.在数据被输入（最多528字节/ 264
话），并加载到页缓冲器
4.一个总线周期即可发出确认
命令启动P / E / R控制器。
5. P / E / R控制器则程序中的数据
到阵列中。
一旦程序操作已启动的桩号
土族注册可以使用读取状态读取
注册命令。在程序操作
状态寄存器将只对位标志设置错误
为'1' ，但没有成功编程
为'0' 。
在程序的运行，只读取桩号
土族注册和复位命令将可接受
版，所有其它命令将被忽略。
一旦编程操作已完成之后，P /
E / R控制器位SR6被设置为“1”和就绪/
忙信号变为高电平。
该器件保持在读状态寄存器模式
直到另一个有效的命令写入的COM
命令接口。
（程序闲时间）
RB
忙
I / O
80h
页编程
安装程序代码
地址输入
数据输入
10h
CON连接RM
CODE
70h
SR0
读状态寄存器
ai07566
注：启动指针操作可以进行页面编程操作之前。请参阅
指针操作
一节。
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