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NAND128 -A ， NAND256 -A ， NAND512 -A ， NAND01G -A
命令集
所有的总线写操作均会被解释介绍
通过命令接口编该命令
输入的I / O0 -I / O7和被锁定在上升
写的边缘启用时，命令锁存
使能信号为高。设备操作SE-
通过编写特定命令的COM lected
表9.命令
总线写操作
(1)
命令
1
st
周期
读了
阅读B
READ C
阅读电子签名
读状态寄存器
页编程
COPY回收计划
块擦除
RESET
00h
01h
(2)
50h
90h
70h
80h
00h
60h
FFH
2
nd
周期
-
-
-
-
-
10h
8Ah
D0h
-
3
rd
周期
-
-
-
-
-
-
10h
-
-
是的
是的
接受命令
在繁忙
命令寄存器。两步命令
编程和擦除操作序列
实行以最大限度地提高数据的安全性。
该命令汇总
表
9 ，命令。
注： 1，总线周期只显示签发的代码。中未示出所需的输入的地址或输入/输出数据的周期。
2.任何未定义的命令序列将通过该装置被忽略。
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