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MX29LV081B
闪速存储器。
如果复位期间编程或擦除断言
操作时， RY / BY引脚保持一个"0" （繁忙），直到
内部复位操作完成，这需要一个
TREADY时间（嵌入式算法期间） 。该
因此系统可以监视RY / BY ，以确定是否
在复位操作完成。如果RESET是断言
当一个程序或擦除操作是在一个完成
TREADY的时间（而不是在嵌入式算法） 。该
系统可以RESET引脚返回后读取数据TRH
到VIH 。
请参考RESET交流特性表
参数和图20的时序图。
SET -UP自动排屑/扇区擦除
COMMANDS
芯片擦除是六总线周期操作。有两种
＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期。这些后面是写
＆ QUOT ;建立＆ QUOT ;命令80H 。两个＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写赛扬
克莱斯再其次是芯片擦除命令10H被
或部门擦除命令30H 。
自动芯片擦除不需要的设备
是完全预编程执行盟之前
tomatic芯片擦除。当执行自动排屑
擦除，设备将自动编程和验证
整个存储器为一个全零的数据模式。当
设备自动验证，以包含一个全零的
模式，自定时芯片擦除和验证开始。该
擦除和验证操作均完成时，数据
上Q7是"1" ，此时该装置返回到
阅读模式。该系统不要求提供任何
在这些操作过程的控制和定时。
当使用自动芯片擦除算法，记
该擦除自动终止充足时，
擦除余量已经实现对存储器阵列（无
擦除确认命令是必需的） 。
如果擦除操作是不成功的，在数据
Q5是"1" （见表7 ），表明擦除操作
超过内部时序限制。
自动擦除开始上的上升沿
最后WE或CE脉搏，率先在任何情况
命令序列和终止时的数据上
Q7是"1"和Q6的数据停止切换两CON-
secutive读周期，此时设备返回
为读模式。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令稳压
存器。微处理器读周期获取数组数据。
该设备仍然启用了读，直到命令
寄存器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生， F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的COM
命令必须被写入到将设备中的
理想状态。
硅ID读命令
闪存被用于在应用中使用
本地CPU改变存储器的内容。因此，制造
商和设备代码必须是可访问的时
设备驻留在目标系统。 PROM编程
聚体通常通过提高A9访问特征码
高电压（VID） 。然而，复高电压
年龄到地址线通常不希望的系统
设计实践。
该MX29LV081B含有硅ID读操作
以柔顺传统PROM编程方法。
通过写入读取芯片的ID开始运作
命令序列到命令寄存器。跟着
哞哞叫的命令写入，读取周期与A1 = VIL ，
A0 = VIL检索C2H的制造商代码。读
循环A1 = VIL ， A0 = VIH返回的设备代码
38H的MX29LV081B 。
P / N ： PM1115
REV 。 1.1 ，十二月20 ，2004
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