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MX25L3235D
（ 4 ）读状态寄存器（ RDSR ）
RDSR指令是读状态寄存器位。读状态寄存器可以在任何时候读取（即使在
编程/擦除/写状态寄存器状态）和连续。建议您在进度写入（ WIP ）
发送新的指令时，编程，擦除或写入状态寄存器操作正在进行中前位。
发行RDSR指令的顺序是： CS ＃变低， >发送RDSR指令代码>状态寄存器的数据出来
在SO （见图12）
的状态寄存器中的位的定义如下：
WIP位。
在制品（WIP ）位，挥发性位，写指示设备是否正忙于编程/擦除/写状态
注册进度。当WIP位设置为1，这意味着该设备正忙于编程/擦除/写状态寄存器的进展。
当WIP位设置为0 ，这意味着该设备是不是在编程/擦除/写状态寄存器周期的进展。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL ）位，挥发性位，表示是否将设备设置为内部写使能锁存器。
当WEL位设置为1，这意味着内部写使能锁存器，该设备可以接受的编程/擦除/写
状态寄存器指令。当WEL位设置为0 ，这意味着没有内部写使能锁存器;该设备将不接受
编程/擦除/写状态寄存器指令。编程/擦除命令将被忽略，并且不会影响WEL价值
位，如果它被施加到受保护的存储器区域。
BP3 ， BP2 ， BP1 ， BP0位。
的块保护（ BP3 ，BP2 ，BP1，BP0 ）位，非易失比特，表示被保护的区域（如
在表中的装置的1 ）中定义的对与编程/擦除指令没有被设置的硬件保护模式。对
写块保护（ BP3 ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）位要求写状态寄存器（ WRSR ）指令来执行。
这些位定义了存储器的保护区，以对页编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ） ，块擦除（ BE ）
和芯片擦除（ CE ）指令（仅当所有块保护设置为0位，则CE指令可以被执行） 。
QE位。
四方启用（ QE ）位，非易失位，执行四，当它被重置为"0" （出厂默认值） ，使WP ＃
或者设置为"1" ，使四SiO2和SIO3 。
SRWD位。
状态寄存器写禁止（ SRWD ）位，非易失位，与写保护（ WP ＃ /一起操作
SIO2 ）引脚用于提供硬件保护模式。硬件保护模式需要SRWD设置为1和WP ＃ / SIO2
引脚信号为低电平阶段。在硬件保护模式下，写状态寄存器（ WRSR ）指令不再接受
执行和SRWD位和块保护位（ BP3 ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）是只读的。
状态寄存器
bit7
bit6
bit5
bit4
bit3
bit2
bit1
bit0
BP3
SRWD
BP2
BP1
BP0
WEL
WIP
QE
的（水平
（状态寄存器（四启用）
的（水平
的（水平
的（水平
（写使能
（写在
写保护）
锁存器）
保护块），受保护的块），受保护的块），受保护的块）
进展位）
1 =写
1 =四
启用
1 =状态
手术
1 =写使能
(note1)
(note1)
(note1)
(note1)
寄存器写
0 =不四
0 =不写0 =不写
启用
关闭
手术
启用
非易失性位非易失性位非易失性位非易失性位非易失性位非易失性位挥发性位
挥发性位
注1 ：见表格2 "Protected区Size"第11页。
P / N ： PM1383
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REV 。 1.1 ，十月14 ， 2008
