MT90869
13.13.2
背板输出比特率寄存器（ BOBRR0-31 ）
地址012Dh到014CH
数据表
三十二个背板输出比特率寄存器允许的位速率为每个单独的数据流被设置为2，4， 8或
16兆位/ s.These寄存器可以由设置了32Mb / s模式中的控制寄存器，在这种情况下，底板被覆盖
流0-15将在32MB / s和背板操作流16-31将未使用。该
BOBRR
寄存器
配置如下：
BOBRn位
（对于n = 0至31）
名字
版权所有
裂（1： 0）
RESET
0
0
版权所有
描述
15-2
1-0
背板输出比特率
表47 - 背板输出比特率寄存器（ BOBRRn ）位
BOBR1
0
0
1
1
BOBR0
0
1
0
1
比特率流n
2Mb/s
4Mb/s
8Mb/s
16Mb/s
表48 - 背板输出比特率（ BOBRR ）编程表
13.14
存储器BIST注册
地址014Dh
内存BIST寄存器使能片上存储器的自测试。两个连续的写操作都需要
开始MBIST 。第一，只有12位（ LV_TM ）设置高（即1000H ） ，第二与第12位保持高但
所需的起始位（S ）置高。
该
MBISTR
注册是CON连接gured如下：
位
15-13
12
11
10
9
名字
版权所有
LV_TM
BISTSDB
BISTCDB
BISTPDB
RESET
0
0
0
0
0
版权所有。
MBIST测试启用。
对于高MBIST模式，低扫描模式。
背板数据存储器BIST启动顺序。
低启动顺序高的跳变。
背板数据存储器BIST序列完成。 （只读） 。
高电平表示内存BIST序列完成。
背板数据存储器通过/失败位（只读） 。
该位指示通过/失败状态下的存储器BIST完成
序列。一个高通表示，低电平表示失败。
表49 - 存储器BIST寄存器（ MBISTR ）位
60
描述
卓联半导体公司
