SRAM
奥斯汀半导体公司
16K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-86859
MIL -STD- 883
MT5C6405
引脚分配
（ TOP VIEW ）
24引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
特点
高速： 12 ， 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55 ，和为70ns
备用电池： 2V的数据保留
高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
28引脚LCC （ EC）
A5
NC
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
选项
时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-12
-15
-20
-25
-35
-45*
-55*
-70*
A6 4
A7 5
A8 6
A9 7
A10 8
A11 9
A12 10
A13 11
CE \\ 12
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
A4
A3
A2
A1
A0
DQ4
DQ3
DQ2
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
OE \\
C
EC
第106号
204号
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。奥斯汀半导体SRAM是捏造
采用双层金属，双层多晶硅
技术。
对于在高速存储器应用，奥斯汀的灵活性
安森美半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能
（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将输出
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是
当我们\\造诣居高不下， CE \\和OE \\去
低。该器件提供了一个低功率待机模式时，
禁用。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电，
所有输入和输出完全TTL兼容。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些设置为35ns的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C6405
2.1版06/05
1
