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总体直流电气特性
表3.推荐工作条件（续）
特征
DDR2 SDRAM接口
DDR SDRAM
控制器I / O供电
DDR3 SDRAM接口
电压
三速以太网I / O电压
符号
GV
DD
推荐值单位注
1.8 V± 90 mV的
1.5 V± 75 mV的
LV
DD
(eTSEC1)
TV
DD
(eTSEC3)
PCI， DUART ，系统控制以及电源管理，我
2
C， USB ， eSDHC ，
ESPI和JTAG I / O电压
局部总线的I / O电压
OV
DD
BV
DD
3.3 V± 165 mV的
2.5 V± 125 mV的
3.3 V± 165 mV的
2.5 V± 125 mV的
3.3 V± 165 mV的
3.3 V± 165 mV的
2.5 V± 125 mV的
1.8 V± 90 mV的
GND为GV
DD
GV
DD
/2 ± 1%
GND为LV
DD
GND电视
DD
GND为BV
DD
GND为OV
DD
T
A
= 0（分）到
T
J
= 90 （最大）
T
A
T
J
T
A
= 0（分）到
T
J
= 105 （最大）
T
A
= -40 （分钟），以
T
J
= 105 （最大）
°C
6
V
V
4
—
V
5
V
3
输入电压
DDR2和DDR3 SDRAM接口信号
DDR2和DDR3 SDRAM接口的参考
三速以太网信号
本地总线信号
PCI本地总线， DUART ，系统时钟，系统控制
和电源管理，我
2
C和JTAG信号
MV
IN
MV
REF
LV
IN
TV
IN
BV
IN
OV
IN
V
V
V
V
V
3
—
5
—
4
操作
温度范围
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产业
标准温度范围
扩展级温度范围
注意事项：
2.该电压是输入到所讨论的过滤器
第3.2.1节“PLL电源滤波， ”
并且不一定是电压
在AVDD引脚，其可以由VDD由过滤器降低。
3.
注意事项：
MVIN不得超过GVDD超过0.3 V时，此限制，可以超过最长为20毫秒
上电复位和掉电序列。
4.
注意事项：
OVIN不得超过OVDD超过0.3 V时，此限制，可以超过最长为20毫秒
上电复位和掉电序列。
5.
注意事项：
L /电视
IN
必须不超过L /电视
DD
超过0.3 V.这可能超过界限为最多20毫秒时
上电复位和掉电序列。
6.最低温度被指定为T
A
;最高温度被指定为T
J
.
MPC8535E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，第2版
飞思卡尔半导体公司
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