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电气特性
表18.复位电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
C
参数
条件
—
—
—
推拉式，我
OL
= 2毫安，
V
DD
= 5.0伏± 10％ ， PAD3V5V = 0
（推荐）
推拉式，我
OL
= 1mA时，
V
DD
= 5.0伏± 10％ ， PAD3V5V = 1
3
推拉式，我
OL
= 1mA时，
V
DD
= 3.3V ±10％ ， PAD3V5V = 1
（推荐）
T
tr
CC D输出转换时间
输出引脚
4
中型配置
C
L
= 25PF ，
V
DD
= 5.0伏± 10％ ， PAD3V5V = 0
C
L
= 50pF的，
V
DD
= 5.0伏± 10％ ， PAD3V5V = 0
C
L
= 100pF的，
V
DD
= 5.0伏± 10％ ， PAD3V5V = 0
C
L
= 25PF ，
V
DD
= 3.3V ±10％ ， PAD3V5V = 1
C
L
= 50pF的，
V
DD
= 3.3V ±10％ ， PAD3V5V = 1
C
L
= 100pF的，
V
DD
= 3.3V ±10％ ， PAD3V5V = 1
W
FRST
SR P nRSTIN输入滤波
脉冲
W
NFRST
SR P nRSTIN输入不过滤
脉冲
|I
WPU
| CC P弱上拉电流
绝对超值
—
—
V
DD
= 3.3V ±10％ ， PAD3V5V = 1
V
DD
= 5.0伏± 10％ ， PAD3V5V = 0
V
DD
= 5.0伏± 10％ ， PAD3V5V = 1
5
1
2
3
4
5
1
价值
2
单位
0.65V
DD
0.4
0.1V
DD
—
—
—
—
—
V
DD
+0.4
0.35V
DD
—
0.1V
DD
V
V
V
V
由于从美国国际贸易委员会的命令， BGA封装生产线和部分数字在这里表示当前有
不是之前2010年9月从飞思卡尔在美国进口或销售： 208 MAPBGA包MPC560xB产品
29
民
典型值
最大
SR P输入高电平CMOS
（施密特触发器）
SR P输入低电平CMOS
（施密特触发器）
CC C输入迟滞CMOS
（施密特触发器）
CC P输出低电平
—
—
—
—
0.1V
DD
0.5
—
—
—
—
—
—
—
1000
10
10
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
20
40
12
25
40
40
—
150
150
250
ns
ns
ns
A
V
DD
= 3.3 V± 10 ％ / 5.0 V± 10 ％ ，T
A
=
40
至125℃ ，除非另有说明
所有的值需要在设备验证来确认。
这是在上电期间一过性的配置，达到复位PHASE2结束时（指的是RGM模块部分
该设备的参考手册） 。
C
L
包括设备和封装电容（C
PKG
< 5 pF的） 。
配置PAD3V5 = 1时， V
DD
= 5 V是电过程中只是短暂的配置。所有垫片但RESET
和Nexus输出（ MDOx ， EVTO ， MCKO ）被配置在输入或在高阻抗状态。
MPC5607B单片机数据手册，第3
飞思卡尔半导体公司
初步-如有更改，恕不另行通知
