MMSZ5225 -V以MMSZ5267 -V
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
标准齐纳电压容差为± 5 ％
e3
用"B"后缀（例如： MMSZ5225B -V）
后缀“ C”为± 2 ％容差
这些二极管也是MiniMELF情况下可用
与指定TZM5225 ... TZM5267 ，
DO- 35例类型指定1N5225 ...
1N5267和SOT23封装外壳的类型名称
化MMBZ5225 -V ... MMBZ5267 -V 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD123塑料外壳
重量：
约。 9.3毫克
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
T
L
= 75 °C
符号
P
合计
价值
500
1)
单位
mW
在FR - 4或FR - 5局以最小的推荐焊盘布局。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
最高结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
340
1)
150
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
在FR - 4或FR - 5局以最小的推荐焊盘布局。
文档编号85774
修订版1.5 ， 20 -MAR -06
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