300MHz至450MHz，低功耗，
基于晶体的+ 10dBm的ASK / FSK发射器
AC电气特性
（典型
应用电路，
所有的RF输入和输出都参考50Ω ，V
DD
= + 2.1V至+ 3.6V ，V
启用
= V
DD
, T
A
= -40 ° C至
+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= + 2.7V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
系统性能
频带
导通时间（注5 ）
最大数据速率（注4 ）
最大的FSK频
偏差
输出功率（注2 ）
传输效率的CW信号
（注7 ）
传输效率为50 ％税
周期
锁相回路性能
VCO增益
K
VCO
f
RF
= 315MHz的
相位噪声
f
RF
= 433
最大载波谐波
参考杂散
环路带宽
晶振频率范围
水晶宽容
晶体负载电容
时钟输出频率
C
负载
（注8）
通过CLK0和CLK1确定;参照表1
BW
f
XTAL
f
RF
= 315MHz的
f
RF
= 433
f
OFFSET
= 100kHz的
f
OFFSET
= 1MHz的
f
OFFSET
= 100kHz的
f
OFFSET
= 1MHz的
280
-75
-98
-74
-98
-50
-45
-40
300
F
RF
/ 32
50
4.5
F
XTAL
/N
dBc的
dBc的
千赫
兆赫
PPM
pF
兆赫
dBc的/赫兹
兆赫/ V
P
OUT
f
RF
t
ON
（注2 ）
安顿到50kHz的范围内
安顿到5kHz的范围内
ASK模式（曼彻斯特编码）
FSK模式（曼彻斯特编码）
DEV [2：0 ] = 111
（注6 ）
f
RF
= 315MHz的
f
RF
= 433
6.8
2.7
300
200
350
100
20
55
80
10
5.3
12.2
35
34
27
25
16.1
%
%
12.0
DBM
450
兆赫
s
Kbps的
千赫
符号
条件
民
典型值
最大
单位
MAX1479
T
A
= + 25 ° C，V
DD
= +2.7V
T
A
= + 125°C ，V
DD
= +2.1V
T
A
= -40°C ，V
DD
= +3.6V
f
RF
= 315MHz的
f
RF
= 433
f
RF
= 315MHz的
f
RF
= 433
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
电源电流，输出功率和效率很大程度上取决于电路板布局和PAOUT匹配。
在T 100％测试
A
= + 125°C 。通过设计和特性随温度的保证。
占空比为50％ ，在10kHz的ASK数据（曼彻斯特编码） 。
通过设计和特性保证，未经生产测试。
V
启用
= V
IL
到V
启用
= V
IH
. f
OFFSET
被定义为从期望的载波频率的频率偏差。
依赖于晶体和PCB走线电容。
V
启用
＆ GT ; V
IH
, V
数据
＆ GT ; V
IH
，效率= P
OUT
/(V
DD
X我
DD
).
依赖于PCB走线电容。
_______________________________________________________________________________________
3
