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MASWSS0181
砷化镓SPDT 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.5 V
谐波： <-67 dBc的在+34 dBm的& 1 GHz的
低插入损耗： 0.40分贝在1 GHz
高隔离度：20分贝2 GHz的
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
无铅SOT- 26封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
MASWSS0006的*符合RoHS标准的版本
修订版V2
功能原理图
销1
引脚6
RF1
V1
RFC
39
pF
1 00
pF
V2
100pF
39 pF的
GND
RF2
1 00 pF的
39 pF的
描述
M / A - COM的MASWSS0181是GaAs PHEMT
MMIC单刀2掷（ SPDT ）大功率
切换中的无铅的SOT- 26封装。
该
MASWSS0181非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，体积小，成本低是
所需。
典型的应用是用于GSM和DCS手机
连接单独的发送和接收系统
功能与共用天线，以及其他
相关的手机及一般用途的应用。
这部分可以在运行了所有系统中使用
3 GHz的要求高功率的低控制电压。
该MASWSS0181是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
RF1
GND
RF2
V2
RFC
V1
描述
RF端口1
射频地
RF端口2
控制2
RF通用端口
控制1
绝对最大额定值
2,3
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz时， 2.5 V控制）
电压
工作温度
绝对最大
+38 dBm的
± 8.5伏
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
订购信息
产品型号
MASWSS0181
MASWSS0181TR
MASWSS0181TR-3000
MASWSS0181SMB
1
储存温度
包
散装包装
1000件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
2.超出任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
3， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
