大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克＃ QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN硅平面晶体管
CD9011
TO-92
CBE
绝对最大额定值
描述
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
价值
30
50
5.0
100
400
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mW
摄氏度
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
VCEO
IC = 10毫安， IB = 0
30
集电极发射极电压
VCBO
IC = 100uA的， IE = 0
50
集电极基极电压
VEBO
IE =为10uA ， IC = 0
5.0
发射极电压
ICBO
VCB = 18V ， IE = 0
-
收藏家切断电流
IEBO
VEB = 3V ， IC = 0
-
发射器切断电流
的hFE
IC=1mA,VCE=5V
29
直流电流增益
-
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） IC = 10毫安， IB = 1毫安
动态特性
COB
VCB=10V,f=1MHz
-
输出电容
ft
VCE = 10V ， IC = 10毫安，
250
跃迁频率
f=100MHz
NF
VCE = 5V ， IC = 100uA的
-
噪声系数
f=1KHz
分类的hFE
29-44 ，E 40-59 ，女54-80 ，G 72-108 ，
J 182-273
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
H 97-146,
最大
-
-
-
50
100
273
0.30
3.5
-
4.0
I 132-198,
单位
V
V
V
nA
nA
V
pF
兆赫
dB
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数据表
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