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三菱的LSI
M5M5T5672TG - 25,22,20
18874368 - BIT （ 262144 - WORD 72 - BIT ）网络SRAM
DC电气特性
范围
符号
参数
电源电压
I / O缓冲器电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流除ZZ
和LBO ＃
对LBO ＃输入漏电流
ZZ的输入漏电流
输出漏电流
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
V
I
= 0V ~ V
DDQ
V
I
= 0V ~ V
DDQ
V
I
= 0V ~ V
DDQ
V
I / O
= 0V ~ V
DDQ
设备选择;
输出开路
V
I
≤V
IL
或V
I
≥V
IH
ZZ≥V
IL
设备
取消
V
I
≤V
IL
或V
I
≥V
IH
ZZ≥V
IL
4.0ns周期（ 250MHz的）
4.4ns周期（ 225MHz ）
5.0ns周期（ 200MHz的）
4.0ns周期（ 250MHz的）
4.4ns周期（ 225MHz ）
5.0ns周期（ 200MHz的）
条件
民
最大
单位
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
2.375
2.375
1.7
-0.3*
V
DDQ
-0.4
2.625
2.625
V
DDQ
+0.3*
0.7
V
V
V
V
V
0.4
10
100
100
10
550
500
450
200
190
180
30
30
180
160
140
V
A
A
I
CC1
电源电流：工作
mA
I
CC2
电源电流：取消选择
mA
设备取消;输出开路
V
I
≤V
SS
+ 0.2V或V
I
≥V
DDQ
-0.2V
I
CC3
CLK频率为0Hz时，所有输入静态
贪睡模式
I
CC4
贪睡模式，待机电流
ZZ≥V
DDQ
-0.2V ， LBO ＃ ≥V
DD
-0.2V
设备选择;
4.0ns周期（ 250MHz的）
输出开路
I
CC5
堵转电流
CKE ＃ ≥V
IH
4.4ns周期（ 225MHz ）
V
I
≤V
SS
+ 0.2V或
5.0ns周期（ 200MHz的）
V
I
≥V
DDQ
-0.2V
Note17.*V
一部作品
为-1.0V和V
IH MAX
为V
DDQ
+ 1.0V的情况下AC（脉冲width≤2ns ） 。
Note18."Device Deselected"意味着设备处于掉电模式，如真值表定义。
CMOS待机电流
（CLK停止待机模式）
mA
mA
mA
电容
符号
C
I
参数
输入电容
条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
= GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
范围
民
典型值
最大
6
8
单位
pF
pF
C
O
输入/输出（ DQ ）电容
Note19 。这个参数进行采样。
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初步
M5M5T5672TG REV.0.1
