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阅读在同一家银行@突发长度= 4 &写周期
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时钟
M52D32162A
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18
19
20
1
CKE
高
t
RC
CS
*Note1
t
RCD
RAS
*注2
CAS
ADDR
Ra
Ca0
Rb
Cb0
BA
A10 / AP
Ra
Rb
t
OH
CL = 2
QC
CL = 3
t
交流
*Note3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
t
S交流
Qa0
t
Qa1
Qa2
t
SH
Qa3
*Note4
t
RDL
Db0
Db1
Db2
Db3
t
交流
*无TE3
t
S交流
t
S HZ
*Note4
t
RDL
WE
DQM
行活动
（ A-巴NK ）
读
（A -B ANK ）
预充电
（A银行）
行活动
（ A-巴NK ）
Wりて
（ A-潘基K）
预充电
（ A-潘基K）
：无所谓
*注意：
1.Minimum行周期时间才能完成内部DRAM操作。
2.Row预充电可以中断突发的任何周期。 [CAS延迟- 1 ]行后有效输出数据的数量可
预充电。最后的有效输出将是高阻（T
SHZ
）钟后。
3.Access时间从行激活命令。 TCC * （T
RCD
+ CAS延迟- 1 ） + T
SAC
4.Ouput将高阻脉冲结束后（ 1,2,4,8位脉冲串）
一阵无法在全页模式结束。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2009年7月
调整
:
1.6
14/32
