DDR SDRAM
E0338M10 （ 1.0版本）
（上Rev.1.54E ）
03月CP （ K）
M2S56D20 / 30 / 40ATP
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256M双数据速率同步DRAM
框图
DLL
DQ0 - 15
UDQS ， LDQS
I / O缓冲器
QS缓冲区
内存
ARRAY
银行＃ 0
内存
ARRAY
银行＃ 1
内存
ARRAY
银行＃ 2
内存
ARRAY
银行＃ 3
模式寄存器
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
A0-12
BA0,1
CLK / CLK CKE
控制信号缓冲
/ CS / RAS / CAS / WE
UDM ，
LDM
型号代码
M 2第56 3 0 KT - 60 UL
此规则仅应用于同步DRAM的家庭。
功率等级UL / U ：超低功耗L：低功耗，空白：标准
速度等级75 ：
133MHz@CL=2.5,100MHz@CL=2.0
(DDR266B)
75A ：为133MHz @ CL = 2.5,133MHz @ CL = 2.0 （ DDR266A ）
60:
166MHz@CL=2.5,133MHz@CL=2.0
(DDR333B)
封装类型TP ： TSOP （ II ） ， KT ： sTSOP （小TSOP ）
程世代
功能保留供以后使用
组织2 N 2 ： X4 ， 3 ： X8 ， 4 ： X16
DDR同步DRAM
密度56 ： 256M位
接口V ： LVTTL ，S ： SSTL_3 ， _2
内存式（ DRAM ）
三菱主名称
6
