M29W400T ， M29W400B
图3.存储器映射和块地址表（ X8 ）
M29W400T
7FFFFh
16K BOOT BLOCK
7C000h
7BFFFh
8K参数块
7A000h
79FFFh
8K参数块
78000h
77FFFh
32K主块
70000h
6FFFFh
64K主块
60000h
5FFFFh
64K主块
50000h
4FFFFh
64K主块
40000h
3FFFFh
30000h
2FFFFh
20000h
1FFFFh
64K主块
10000h
0FFFFh
64K主块
00000h
00000h
AI02090
M29W400B
7FFFFh
64K主块
70000h
6FFFFh
64K主块
60000h
5FFFFh
64K主块
50000h
4FFFFh
64K主块
40000h
3FFFFh
64K主块
30000h
2FFFFh
64K主块
20000h
1FFFFh
64K主块
10000h
0FFFFh
32K主块
08000h
07FFFh
8K参数块
8K参数块
04000h
03FFFh
16K BOOT BLOCK
64K主块
64K主块
06000h
05FFFh
组织
该M29W400组织为512K ×8或256K
X16位的字节信号选择。当
字节是低字节宽度X8组织
选择和地址线均DQ15A -1和
A0 - A17 。数据输入/输出信号DQ15A - 1
作为地址线A- 1 ，它选择了较低或
输出记忆单词上的高字节
DQ0 - DQ7 ， DQ8 - DQ14保持在高阻抗。
当一个字节是高内存使用地址
输入A0 - A17和数据输入/输出DQ0-
DQ15 。存储器控制是由芯片提供使能
E，输出使能G和写使能W输入。
复位/座临时RP unprotection的三电平
输入提供了一个硬件复位时被拉至低电平，
当举行高（在V
ID
）暂时取消保护
此前块保护使他们能够
程序性和擦除。擦除和Programopera-
系统蒸发散是由内部编程/擦除控制
控制器（ P / E.C 。 ） 。状态寄存器的数据输出上
DQ7提供了数据查询信号，和DQ6和
DQ2提供切换信号来指示的状态
在P / E.C操作。一就绪/忙RB输出
表示完成内部算法。
4/34
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。两
M29W400Tand M29W400Bdevices有一个数组
11块， 16 KB或8 1引导块
K字， 8 KB或4两参数块
K字， 32 KB或16 1正座
K字和64 KB或32七个主要模块
K字。该M29W400T具有引导块在
所述存储器地址空间和顶
M29W400B定位引导块起始于
底部。该存储器映射显示在图
3.每个块可以单独被删除，任何命
块bination可以为多块被指定
擦除或整个芯片可以被擦除。擦除
操作由自动管理
P / E.C 。块擦除操作可以可持
挂起，以便读取或程序的任何
阻止未ersased ，然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每个块可以被单独的保护或外部器件了
对编程编程或擦除tected
设备。所有以前受保护的块可以是
暂无保护的应用程序。
