M29W400T ， M29W400B
表8.说明
(1)
跨国公司。
INSTR 。
CYC 。
1+
RD
(2,4)
第一天幕。
地址。
(3,7)
数据
地址。
(3,7)
字节
字
数据
地址。
(3,7)
字节
字
数据
地址。
(3,7)
字节
字
数据
地址。
(3,7)
字节
字
数据
地址。
(3,7)
字节
字
数据
X
F0h
AAAAH
5555h
AAH
AAAAH
5555h
AAH
AAAAH
5555h
AAH
AAAAH
5555h
AAH
AAAAH
5555h
AAH
X
B0h
X
30h
第二天幕。第三天幕。
4天幕。
第五天幕。
6天幕。
7天幕。
读存储器阵列，直到一个新的写周期开始。
读/复位
存储阵列
3+
5555h
2AAAh
55h
5555h
2AAAh
55h
5555h
2AAAh
55h
5555h
2AAAh
55h
5555h
2AAAh
55h
AAAAH
5555h
F0h
AAAAH
5555h
90h
AAAAH
5555h
A0h
AAAAH
5555h
80h
AAAAH
5555h
80h
节目
地址
节目
数据
AAAAH
5555h
AAH
AAAAH
5555h
AAH
5555h
2AAAh
55h
5555h
2AAAh
55h
块
另外
地址块
(8)
30h
AAAAH
5555h
10h
注9
30h
阅读电子签名或阻止
保护状态，直到一个新的写周期
发起。见注5和6 。
读存储器阵列，直到一个新的写周期
被启动。
AS
(4)
自动选择
3+
PG
节目
4
读取数据轮询或切换位
直到项目完成。
BE
块擦除
6
CE
芯片擦除
6
ES
(10)
抹去
暂停
抹去
简历
1
地址。
(3,7)
数据
阅读切换到停止，然后读取所有从任何需要的数据
块（ S）不能被擦除，然后恢复擦除。
读取数据轮询或切换位，直到完成擦除或擦除是
暂停其他时间
ER
1
地址。
(3,7)
数据
注意事项：
1.命令在该表中未解释会默认读取阵列模式。
的t 2.等待
PLYH
需要一个读/复位命令后，如果内存在擦除或编程模式
在开始任何新操作之前（见表14和图9）。
3. X =不在乎。
4.在RD的或AS指令的第一个周期之后的读操作。任何数量的读周期后可以发生
命令周期。
5.签名地址位A0 ， A1在V
IL
将输出制造商代码（ 20H） 。地址位A0在V
IH
而A1在V
IL
将输出
设备代码。
6.块保护地址： A0在V
IL
， A1在V
IH
并且将输出块保护状态块中A12 -A17 。
7.编码周期地址输入A15 - A17都不在乎。
8.可选，额外的块地址必须最后写的条目，超时状态后擦除超时时间内进入
可以通过DQ3值进行校验（见擦除定时器位DQ3说明） 。当完整的命令输入，读取数据轮询或
触发位，直到擦除完毕或暂停。
9.读数据查询，拨动位或RB ，直到擦除完成。
10.During擦除挂起，读取数据和程序的功能是允许在不被擦除的块。
状态寄存器位
P / E.C 。状态由执行过程中的数据表示
投票在DQ7 ， DQ6上切换检测和
DQ2或错误的DQ5和擦除定时器DQ3位。
节目期间，任何试图读取或擦除的COM
普通话executionwill automaticallyoutput这五个
状态寄存器的位。在P / E.C 。自动设置
位DQ2 ， DQ3 ， DQ5 ， DQ6和DQ7 。其他位
（ DQ0 ， DQ1和DQ4 ）被保留以供将来使用
并应被屏蔽。看表9和表10 。
数据轮询位（ DQ7 ） 。
当OP-编程
操作都在进行中，该位输出的COM
该位的二进制补码被编程的DQ7 。
在擦除操作时，它输出一个“0”。之后的COM
操作完井， DQ7将输出位最后
编程或“1”擦除之后。数据轮询是
有效的，在P / E.C才有效。操作时，
10/34
