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M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
表8.说明
(1)
跨国公司。
INSTR 。
CYC 。
1+
地址。
(3,7)
数据
3+
地址。
(3,7)
数据
AS
(4)
第一天幕。第二天幕。第三天幕。 4天幕。第五天幕。 6天幕。 7天幕。
X
F0h
555h
AAH
555h
AAH
555h
AAH
(3,7)
RD
(2,4)
读/复位
存储阵列
读存储器阵列，直到一个新的写周期开始。
AAAH
55h
AAAH
55h
AAAH
55h
AAAH
55h
AAAH
55h
555h
F0h
555h
90h
555h
A0h
555h
80h
555h
80h
读存储器阵列，直到一个新的写
周期开始。
阅读电子签名或阻止
保护状态，直到一个新的写周期
被启动。见注5和6 。
节目
地址读数据轮询或切换
位，直到项目完成。
节目
数据
555h
AAH
555h
AAH
AAAH
55h
AAAH
55h
块
另外
地址块
(8)
30h
555h
10h
30h
注9
地址。
(3,7)
自动选择
3+
数据
地址。
(3,7)
PG
节目
4
数据
地址。
数据
BE
块擦除
6
555h
AAH
555h
AAH
X
B0h
X
30h
CE
芯片擦除
6
地址。
(3,7)
数据
ES
(10)
抹去
暂停
抹去
简历
1
地址。
(3,7)
数据
阅读切换到停止，然后读取所有的所需要的数据
任何块（ S）不能被擦除，然后恢复擦除。
读取数据轮询或切换位，直到擦除完成或
擦除暂停其他时间
ER
1
地址。
(3,7)
数据
注意事项：
1.命令在该表中未解释会默认读取阵列模式。
的t 2.等待
PLYH
需要一个读/复位命令后，如果内存在擦除或编程模式
在开始任何新操作之前（见表14和图9）。
3. X =不在乎。
4.在RD的或AS指令的第一个周期之后的读操作。任何数量的读周期后可以发生
命令周期。
5.签名地址位A0 ， A1在V
IL
将输出制造商代码（ 20H） 。地址位A0在V
IH
而A1在V
IL
将输出
设备代码。
6.块保护地址： A0在V
IL
， A1在V
IH
并且将输出块保护状态块中A13 -A17 。
7.编码周期地址输入A12 - A17都不在乎。
8.可选，额外的块地址必须经过上次写的条目擦除超时时间内输入，
超时状态可以通过DQ3值进行校验（见擦除定时器位DQ3说明） 。
当完整的命令输入，读取数据轮询或切换位，直到擦除完毕或暂停。
9.读数据查询，拨动位或RB ，直到擦除完成。
10.During擦除挂起，读取数据和程序的功能是允许在不被擦除的块。
说明书要求1至6个周期中，第一
这还是前三总是写操作
用于引发instruction.They后跟
或者进一步的写周期，以确认所述第一的COM
命令或立即执行命令。 COM的
命令顺序必须严格遵守。任何
命令无效组合将重设
设备读取阵列。数量的增加
周期已被选定，以保证最大的数据
安全性。指令由两个初始初始化
编码周期而解锁命令接口
脸上。此外，对于擦除指令确认
再次前面两个编码周期。
状态寄存器位
P / E.C 。状态由执行过程中的数据表示
投票在DQ7 ， DQ6上切换检测和
DQ2或错误的DQ5和擦除定时器DQ3位。
节目期间，任何试图读取或擦除的COM
命令执行将自动输出这五个
状态寄存器的位。在P / E.C 。自动设置
位DQ2 ， DQ3 ， DQ5 ， DQ6和DQ7 。其他位
（ DQ0 ， DQ1和DQ4 ）被保留以供将来使用
并应被屏蔽。看表9和表10 。
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