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ESMT
DC特定网络阳离子
参数
工作电流
（一银行活动）
工作电流
（一银行活动）
预充电掉电
待机电流
空闲待机电流
主动省电待机
当前
主动待机电流
工作电流（读）
工作电流（写）
自动刷新当前
自刷新电流
工作电流
（ 4行交错）
符号
测试条件
t
RC
= t
RC
（分钟） ，T
CK
= t
CK
（ MIN）
主动 - 预充电
突发长度= 2 ，T
RC
= t
RC
（ MIN）
CL = 2.5 ，我
OUT
= 0毫安，
主动阅读的预充电
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
= t
CK
（ MIN）
所有银行闲置
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（ MIN）
t
CK
= t
CK
（分钟）
所有银行ACT ， CKE
≤
V
IL
（最大） ，
t
CK
= t
CK
（分钟）
一家银行;主动预充电，
t
RC
= t
RAS
（最大值），叔
CK
= t
CK
（分钟）
突发长度= 2 ， CL = 2.5 ，
t
CK
= t
CK
（分钟） ，我
OUT
= 0毫安
突发长度= 2 ， CL = 2.5 ，
t
CK
= t
CK
（分钟）
t
RC
≥
t
RFC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
突发长度= 4 ，T
RC
= t
RC
（ MIN）
I
OUT
= 0毫安
VERSION
-5
110
M13S64164A
-6
100
单位注
IDD0
mA
IDD1
130
110
mA
IDD2P
IDD2N
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD7
10
70
20
90
180
180
140
5
235
10
70
15
80
160
160
120
5
215
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1
注： 1。启用芯片刷新和地址计数器。
交流工作条件&时序规范
交流工作条件
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入不同的电压， CLK和CLK输入
输入交叉点电压， CLK和CLK输入
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
V
IX
（AC）的
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
民
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
记
注1 。 V
ID
是在CLK的输入电平与所述输入上的CLK之间的差的量值。
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的DC电平
同样的。
输入/输出电容
(V
DD
= 2.3V~2.7V, V
DDQ
= 2.3V 2.7V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容
（ A0 A11 ， BA0 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
)
输入电容（ CLK ， CLK ）
数据& DQS输入/输出电容
输入电容（DM）的
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
C
IN3
民
2.5
2.5
4.0
4.0
最大
3.5
3.5
5.5
5.5
单位
pF
pF
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年6月
修订： 1.4
5/48
