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ESMT
写一个读& DM中断
M13S64164A
突发写入可以通过任何银行的读命令被中断。到DQ的必须处于高阻抗状态中的至少一个
在断路前，时钟周期读取的数据出现在输出端，以避免数据争用。当所读取的指令被登记时，
从猝发写周期中的任何残余的数据必须由糖尿病所掩盖。从最后的数据的延迟读取命令（叔
WTR
）是
为了避免内部的数据争用DRAM的需要。被呈现在DQ管脚读取命令被启动之前的数据
实际上将被写入到存储器。不能在那写的下一个时钟边沿发出读命令写入中断
命令。
<Burst长度= 8 ， CAS延时= 3>
0
CLK
CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
COMM和
NO P
W仪式
NO P
NOP
NOP
t
WTR
REA
NOP
NO P
NOP
t
DQSSmax
DQ S
CAS延时= 3
DQ 'S
t
DQSSmin
DQ S
t
WPRES
CAS延时= 3
DQ 'S
嚣0厅1厅2
t
WPRES
嚣0厅1厅2锭锭3 4 5锭锭锭6 7
窦吨0吨豆1
t
WTR
锭锭3 4 5锭锭锭6 7
窦吨0吨豆1
DM
以下功能建立如何Read指令可以中断一个写脉冲串和它的输入数据不被写入到
的存储器。
1.对于读命令中断写一阵，最低写入读命令延迟2个时钟周期。的情况下，
写入读取延迟时间为1个时钟周期是不允许的。
2.对于中断写突发读取命令，则DM销必须被用来在紧接屏蔽输入数据字
先于中断读操作和紧随其后的中断读操作的输入数据字。
3.对于阅读的所有中断的情况下写， DQ和DQS总线必须由驱动芯片被释放（即内存
控制器）中的时间，以允许总线扭转在读取操作期间之前的SDRAM的驱动它们。
4.如果输入的写数据时，读出命令被屏蔽， DQS的输入是由SDRAM忽略。
五是非法的读命令中断与autoprecharge命令写。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年6月
修订： 1.4
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