LTC4267-3
框图
V
PORTP
分类
电流负载
1.237V
SIGDISA
P
VCC
+
–
EN
25k
签名
电阻器
9k
16k
800mV
参考
V
CC
分流
调节器
0.3μA 0.28V
+
–
关闭
比较
P
VCC
＆ LT ;
V
Turnon
欠压
封锁
R
类
PWRGD
电源良好
控制
电路
软
开始
钳
关闭
+
375mA
输入
当前
极限
V
FB
–
I
TH
/ RUN
+
140mA
EN
–
V
PORTn
P
OUT
粗线表示高电流路径
保护地
20mV
1.2V
应用S我FOR ATIO
概观
该LTC4267-3被划分为两个主要模块：一个
电设备（PD ）接口控制器和一个电流
模式反激式开关稳压器。受电设备
（PD）的接口是为使用作为一个前端
PD附着在IEEE 802.3af标准，并包括
一个镶着25K特征电阻，分类网络阳离子电流
源，和一个输入电流限制电路。这些
功能集成到LTC4267-3 ，签名
并为PD电源接口能够满足全部建成
在IEEE 802.3af标准的特定连接的阳离子与要求
最少的外部元件。
该LTC4267-3的开关稳压器部分是一个
恒定频率电流模式控制器，该控制器进行了优
得到优化的以太网供电应用。该稳压器
设计用于驱动一个6V的N沟道MOSFET和特征
软启动和可编程斜率补偿。该
综合误差放大器器和精密基准电压源给
PD设计师采用非隔离拓扑结构的选择
而不需要外部扩增fi er或参考。该
LTC4267-3一直具体来说设计与接口
既符合IEEE供电设备（ PSE ）
和传统的PSE不符合浪涌电流
在IEEE 802.3af标准的特定连接的阳离子的要求。通过设置
中， PD使用初始浪涌电流限制到低水平
该LTC4267-3减少从PSE汲取的电流
在启动过程中。上电后，将LTC4267-3切换
到高电平电流限制，从而允许PD中
消耗高达12.95W如果符合IEEE 802.3af PSE存在。
这种低层次的电流限制也允许LTC4267-3 ，以
在不超过充电任意大的负载电容
在IEEE 802.3af标准的特定连接的阳离子的浪涌限制。这
双级电流限制提供了与系统设计
灵活性来设计的PD这是与传统兼容
PSE的同时还能够利用更高的优势
输出功率是在IEEE 802.3af标准的系统。
使用LTC4267-3为电力和签名间
一个PD的面部的功能提供了若干优点。该
LTC4267-3电流限制电路包括一个片上100V
功率MOSFET 。这种低漏MOSFET是特定网络版到
42673f
+
–
错误
扩音器
当前
比较
R
Q
S
开关
逻辑与
消隐
电路
P
VCC
NGATE
门
司机
300kHz
振荡器
坡
COMP
当前
坡道
SENSE
42673 BD
U
W
U U
9
