LTC4267-3
应用S我FOR ATIO
在非隔离设计中， LTC4267-3集成一个
内部误差放大器呃哪里我
TH
/ RUN引脚用作
一个补偿点。以类似的方式，一个串联的RC
网络可以从我接
TH
/运行至PGND为
在图15 C中所示
C
和R
Z
被选为最佳
负载和线路瞬态响应。
LTC4267-3
I
TH
/ RUN
C
C
保护地
R
Z
42673 F15
图15.主要环路补偿的非隔离型设计
选择开关晶体管
与N沟道功率MOSFET驱动的主
变压器，电感将引起的漏电
MOSFET的遍历整个伏电压的两倍
PORTP
和
保护地。该LTC4267-3工作于最大供电
的 - 57V ;因此MOSFET的额定电压为114V处理
或SUF网络cient设计裕量更多。典型的晶体管
器有150V等级，而一些厂家有
发达的额定120V的MOSFET具体来说的电源 -
过以太网应用。
在LTC4267-3的NGATE引脚驱动的门
N沟道MOSFET 。 NGATE将穿越轨到轨电压
年龄从PGND到P
VCC
。设计者必须保证
MOSFET提供低“ON ”电阻切换时
以P
VCC
以及确保MOSFET的栅极可以
处理P
VCC
电源电压。
对于高英法fi效率的应用程序，选择一个N沟道
MOSFET具有低总栅极电荷。较低的总闸门
收费提高了NGATE驱动电路的英法fi效率
并最大限度地减少充电所需的开关电流
和放电的栅极。
U
辅助电源
在一些应用中，可能期望提供动力的
PD从辅助电源例如墙壁反
前者。辅助电源可以被注入的PD在
多个地点和多种权衡存在。功率
在隔离电源的3.3V或5V输出注入
供给与使用二极管或门电路组成。该方法
访问PD的内部电路的隔离后
屏障，因此符合802.3af标准的安全隔离
要求对PD的墙上变压器插孔。
功率也可以被注入的PD接口部
该LTC4267-3 。在这种情况下，有必要确保
用户不能访问该壁变压器的端子
插孔PD ，因为这会损害802.3af标准
隔离的安全要求。
图16演示了二极管或门的三个方法
外接电源到PD 。选项1插入电源之前
该LTC4267-3接口控制器，同时选择2
3旁路LTC4267-3接口控制器部分，
直接提供电源的开关调节器。
如果电源的LTC4267-3接口连接之前插入
制器，它是必要的壁变压器超过
该LTC4267-3 UVLO开启要求，包括：
瞬态电压抑制器（TVS ）来限制最大
电压为57V 。此选项提供了输入电流限制
为变压器，提供了一个有效的电源良好信号;
并简化网络连接的ES电源的优先问题。只要在壁
变压器应用于电源PD的PSE之前，
将优先与PSE将无法启动的PD
因为墙上的电源会损坏25K签名。如果
该PSE已经供电PD ，墙上变压器
功率将与PSE的平行。在这种情况下，优先
性将被给予更高的供电电压。如果壁
变压器电压较高时，PSE应除去
因为没有电流线电压会从PSE绘制。
另一方面，如果壁变压器电压较低，
电源设备将继续供电给PD和
壁变压器将不被使用。正确的操作应该
出现这两种情况。
42673f
W
U U
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